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二极管的伏安特性存在4个区：死区电压、正向导尘穗通区、反向截止区、反向击穿区悔清。
死区电压：通常为，锗管0.2~0.3V,硅管0.5~0.7V
正向导通区:当加正向电压超过死区电压时则导通,该区为正向导通区.
反向截止区:加一定反向电压时截止.
反向击穿区:当加反向电压大于管子反向承认电压时,击穿碧兄前.
正向通电电流与电压为指数关系
反向通电当电压小于击穿电压时几乎没有电流,当电压大于击穿电压时,这个晶体二极管就成导线了,也就报废了
二极管的伏安特性曲线是：外加电压Uw方向为P→N时，Uw大于起动电压，二极管导通；外加电压Uw方向为N→P时，Uw大于反向击穿电压，二极管击穿。
二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。
晶体二极管性能参数
最大整流电流Idm：二极管连续工作允许通过的最大正向电流；电流过大，二极管会因过热烧毁；大电流整流可加装散热片。
最大反向电压Urm：Urm一般小于反向击穿电压，选规格以Urm为准，并留瞎销有余量；过电压易损坏二极管。
反向饱和电流Is：二极管外加反向电压磨肆游时的电流值；Is反向击穿前很小，雹稿变化也很小；Is会随温度的升高而升高，一般地，常温下硅管Is1μA，锗管Is=30~300μA。
最高工作频率Fm：指二极管能保持良好工作特性的最高工作频率。
1、二极管伏安的正向特性，理想的二极管，正向电流和电压成指数关系。 但是实际的二极管，加正向电压的时候，需要克服PN结内电压，所以电压要大于内电压时，才会出现电流。
这个最小电压称作开启电压。小于开启电压的区域，叫做死区。 当电压大于开启电压，那么电流成指数关系上升。增加很快，所以二极管上的压降，其实很小，否则由于电流太大，就烧坏了。
2、二极管伏安的反向特性，理想的二极管，不论反向电压多大，反向都无电流。实际的二极管，反向截止时，也是有电流的，这个电流叫做反向饱和电流。在电压没有达到反向击穿电压时岩隐，二极管的电流一直等于方向饱和电流。
但是当电压大到一定程度，二极管被反向击穿，电流急剧增大。 反向击穿分齐纳击穿和雪崩击穿两种。 有的二极管击穿后撤去反向电压，还能恢复原状态，比如稳压二极管就是工作在反向击穿区的。 有的反向击穿就直接烧坏了。
3、二极管的伏安特性存在4个区：死区电压、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。
（1）死区电压：通常为，锗管0.2~0.3V,硅管0.5~0.7V；
（2）正向导通区:当加正向电压超过死区电压时则导通,该区为正向导通区；
（3）反向截止区:加一定反向电压时截止；
（4）反向击穿区:当加反向电压大于管子反向承认电压时,击穿。
扩展资料：
1、某一个金属导体，在温度没有显著变化时，电阻是不变的，它的伏安特性曲线是通过坐标原点的直线，具有这种伏安特性的电学元件叫做线性元件。因为温度可以决定电阻的大小。
欧姆定律是个实验定律，实验中用的都是金属导体。这个结论对其它导体是否适用，仍然需要实验的检验。实验表明，除金属外，欧姆定律对电解质溶液也适用，但对气态导体（如日光灯管、霓虹灯管中的气体）和半导体元件并不适用。也就是说，在这桥核些情况下电流与电压不成正敏枣掘比，这类电学元件叫做非线性元件。
2、相关概念：
（1）变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。
（2）平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。
（3）非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。
（4）扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。
参考资料来源：百度百科 - 伏安特性曲线
二极管伏安特性曲线是指加在二极管两端电压和流过二极管电流之间的关系曲线。二极管的伏安特性通常用来描述二极管的性能。
二极管的特性可以用其光电流特性来叙述，在二极管两边加电压U，随后测到穿过二极管的电流I，电压与电流中间的关联i=f(u)就是二极管的光电流特性曲线图。
二极管的伏安特性
1、正向特性
在肢中扒电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接培肆方式际为正向偏置。只有当正向电压达到某一数值以后，二极管才能真正导通。导通后，二极管两端的电压基本上保持不变，称为二极管的“正向压降”。
2、反向特性
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，二极管处于截止状态，这种连接方式称为反向偏置。
3、击穿特历昌性
当二极管两端的反向电压增大到某一数值时，反向电流急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
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