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1、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。
2、H后边的数表示该IGBT的额定工作电流(A),如上述型号15表示额定工作电流为15A;R后边三位数字*10表示该IGBT的最大关断电压(V),如上述120表示最大关断电压为1200V;最后一位是设计序号2,与元件的参数无关。
3、不是三极管的型号,是一种贴片封装代号,类似的代号还有0400600801210等,只表示外形尺寸的大小,也不限于三极管,二极管、三极管、电阻、电容的型号中都可以包含类似代号。
4、电磁炉输出功率管使用的是IGBT管,H20R120是英飞凌公司生产的,可以直接使用英飞凌公司生产的H20R1202代换(改进型),也可以使用东芝公司生产的GT25Q120代换。
5、在开关电源次级电路应用中为了提高整流效能常将两个阳极并联(1,2脚短接),3脚输出,并成一个二极管来使用。 所以这个管子也不可能用来作开关管应用,开关管常用的是三极管和场效应管。
1、管子脚向下,管子正面向自己,左起是门极,集电极,发射极,用万用表R乘1K档测:在检测前先将1GBT管三只引脚短路放电(FGA25N120AND)防止影响检测准确度。
2、分析如下 (1)美的电磁炉H20R1203电源管的测量方法:(2)测量时字面面对自己管脚朝下,由左到右分别是 G 极 D极 S极 。用指针万用表打到X10K档或X1K档可以触发场效应管,让它工作。
3、IGBT的内部电路如下,其G-C、G-E测出无穷大阻值是正常的;又因阻尼二极管的存在,C-E间测出单向导通特性也是正常的。
4、H20T120为场效应管20A 1200V 此管如损坏三脚全为导通 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
可以代用。因为FGA25N120内含阻尼二极管,在代换IGBT功率管时,最高耐压、最大电流符合要求时,内含阻尼二极管的IGBT管可以代换不含阻尼二极管的IGBT管。
H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲,H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。
H20R1202功率管电流是20A、耐压1200V,用其它型号的IGBT管都可以代换;IGBT功率管损坏,都是击穿,测CE极电阻就可以了。IGBT管极间开路的很少见。
可以代用。因为FGA25N120内含阻尼二极管,在代换IGBT功率管时,最高耐压、最大电流符合要求时,内含阻尼二极管的IGBT管可以代换不含阻尼二极管的IGBT管。
H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲,H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。
H20R1202功率管电流是20A、耐压1200V,用其它型号的IGBT管都可以代换;IGBT功率管损坏,都是击穿,测CE极电阻就可以了。IGBT管极间开路的很少见。
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