高压mos管1000v（高压mos管版图）

发布时间：2023-05-12

阅读量：93

本文目录一览：

1、电压不同

高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。

2、反应速度不同

耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。

mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即圆肆使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

扩展资料：

MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。

然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。

做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的核升使用，当然就改腔老是用它的开关作用。

无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

参考资料来源：百度百科—MOS管

GS电压大于1000V？太强大前姿唯了册纤。。。

应该是击穿电压--DS吧。

GS电压超过20V，IGBT都完了慧培

充电器用的闭迟是高压MOS管，可用5A-10A 800-1000V的管子代用，在换上MOS管祥态余之前用示波器观看3842六角有无输谨滚出，若无输出则3842也要一起换（16.5V辅助电源供电正常情况下看）。

一般是以200V 为分界点。低压MOS 一般用于消费类电子，以单节4.2V电池的保护帆蚂板会用到低压线路，现在汽车充电线路板上面也会用到40-120V的MOS，封装一般已贴片为主，用量蛮大。

高压MOS 一般以500V 600V 650V(这个电戚轿旁压值的比较常规）700V 800V ，现在超结MOS也称COOLMOS的1000V 1200V 1600V，也已经常规化。

深圳市安诺宸高橡科技有限公司

高压mos管1000v（高压mos管版图）