三极管锗（锗管3ad30功放电路图）

发布时间：2023-07-26

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1、现在使用的三极管几乎都是硅三极管。因为锗三极管热稳定性差，漏电大（主要是其Iceo这个参数太差）故现在锗三极管已很少使用。锗管的优点就是饱和压降小。

2、若是开发新产品，不建议买，因为这些管子不可靠，它们的Iceo（即穿透电流）普遍较大。

3、现在锗三极管已经很难买到，即使给你说哪些管子可以代换，你也买不到（3AG1和3AX71是以前很常用的管子，这些都买不到，那替换的，你就更买不到了）。建议还是用现在常用的PNP型硅三极管替换吧。

4、三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V 二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差硅半导体材料多。

三极管锗（锗管3ad30功放电路图）

1、区分三极管是硅管还是锗管的两种方法：让该管工作在放大状态，测Vbe电压（基极与发射极的电压），如果电压Vbe=0.3V则是锗管，如果Vbe=0.7V则是硅管。看型号上标明的是硅管还是锗管。

2、当B和E的电压差为0.7V时，为硅管；电压差为0.2V时，为锗管。以上的判断依据是三极管处于放大状态的前提下，三极管处于截止和饱和状态的时候，要根据具体情况来判断。实际上，一般题目都是判断放大状态下的三极管。

3、三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V 二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差硅半导体材料多。

4、：锗管be在0.2左右，硅管be在0.7左右，所以两个电压相近的是b、e，另一个电压相差较大的是c。2：当c极电压高于其他两极说明是npn管，此时另两极中电压较高的是b。

5、可以用万用表判断它的极性，确定它是硅管还是锗管，并同时区分它的管脚。

6、注意测量时不要让集电极和基极碰在一起，以免损坏晶体管。(2)锗管和硅管的判别用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.5—0.8V，锗管正向压降，一般为0.2—0.4V。

1、你好：——★由于采用的半导体材料不同，锗管和硅管两者的主要区别是：锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。

2、电阻不同、起始电压不同等。在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻，而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。锗管正向在0.2V就开始有电流了，而硅管要到0.5V才开始有电流，锗管和硅管的起始电压不同。

3、三极管锗材料和硅材料都是四价元素，但锗材料比硅材料活泼，所以锗材料电阻率低，硅材料电阻率高，同样的PN结，锗材料的正向结电压才0.2~0.4V，硅就要0.5~2V。同样的反向电压，锗管的体积要大，硅管的体积小。

用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

区分三极管是硅管还是锗管的两种方法：让该管工作在放大状态，测Vbe电压（基极与发射极的电压），如果电压Vbe=0.3V则是锗管，如果Vbe=0.7V则是硅管。看型号上标明的是硅管还是锗管。

：锗管be在0.2左右，硅管be在0.7左右，所以两个电压相近的是b、e，另一个电压相差较大的是c。2：当c极电压高于其他两极说明是npn管，此时另两极中电压较高的是b。

可以用万用表判断它的极性，确定它是硅管还是锗管，并同时区分它的管脚。

注意测量时不要让集电极和基极碰在一起，以免损坏晶体管。(2)锗管和硅管的判别用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.5—0.8V，锗管正向压降，一般为0.2—0.4V。

锗三极管是以锗为材料的三极管，是对电流起放大作用。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管锗材料和硅材料都是四价元素，但锗材料比硅材料活泼，所以锗材料电阻率低，硅材料电阻率高，同样的PN结，锗材料的正向结电压才0.2~0.4V，硅就要0.5~2V。同样的反向电压，锗管的体积要大，硅管的体积小。

三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V 二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差硅半导体材料多。

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。

NPN的电压关系：CBE PNP的电压关系：CBE 当B和E的电压差为0.7V时，为硅管；电压差为0.2V时，为锗管。