mos管驱动感性负载（mos管的驱动电流与驱动电阻）

发布时间：2023-07-29

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如果你有转速有要求，那是不行的，尤其是交流感应电机，电压过低会堵转，造成电流上升，温度上升。

不能，电压不够，实际上是提供的功率不够，因为电压乘以电流等于功率，即电源提供的功率不足，相差达一倍，如果电机不带负荷，或许可以低速转动，但是没有什么意义。

这是可以的，如下图：1）5V电源接到继电器的线圈引脚，这里加了一个三极管放大，2）继电器的触点接12V电源以及直流电机后接地。

这是场效应管呀，是电压控制元件，没有输入电流，串联电阻有什么用？应该减小输入电压电压，即应该减小那个7圈0.35的线圈圈数。

不会烧，但转速会比12V的时候慢很多。力矩也更小。

mos管驱动感性负载（mos管的驱动电流与驱动电阻）

这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上，而不应该挂在S极上，也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。

当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。

输入控制信号是PWM1 当PWM1是高电平时，Q2导通，Q1也导通，+5V通过QDR1给MOS_1提供（大电流）高电平；当PWM1是低电平时，Q2截止，Q1也截止，Q3因基极电阻R6导通，MOS_1为低电平。

当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

有个笔误，Q3门极电压012--Q3门极电压12V。这里黙认场效应管的门极开启电压（绝对值）是大于1V且小于11V，即门极在电源电压的高、低电平范围内能使沟道导通或截止、实现逻辑动作，比如是2V。

常见pwm驱动mos管开关电路：只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部有寄生电容有时候为了加速电容放电，会在限流电阻反向并联一个二极管。

1、没有一定的好和不好，主要看你的电路形式和控制方式，一般用N型的，因为型号较多。

2、MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该 MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

3、法则之一：用N沟道orP沟道选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

1、容性负载：和电源相比，负载电流超前负载电压一个相位差，此时负载为容性负载（如补偿电容负载）。电路中类似电容的负载，可以使电流超前电压降低电路功率因数。

2、最大电压和最大电流：通常以额定电流和额定电压进行标示，一般情况下，直流电子负载的最大工作电流应该在50A到500A的范围内。

3、电源负载即电子负载，是通过控制内部功率（MOSFET）或晶体管的导通量（量占空比大小），依靠功率管的耗散功率消耗电能的设备。