三极管驱动mos管（3v驱动mos管）

发布时间：2023-08-03

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1、答案是可以的！具体请参考如下分析：不过MOS驱动，有几个特别的需求 1，低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。

2、用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。直接可以连接，简单方便。

3、MOS管不只能够做开关电路，也能够做仿照拓宽，因为栅极电压在必定方案内的改动会致使源漏间导通电阻的改动。

4、两种接法供参考，前一种作为开关用比较简单。后一种接法用在频率比较高的场合比较好。

三极管驱动mos管（3v驱动mos管）

1、a. 三极管是电流控制型元件，MOS 管是电压控制元件；b. 正常工作时，三极管的两个PN 结一个正偏一个反偏，而MOS 管的两个PN 结均需反偏；c. MOS 主要通过多子载流子导电，是“单极型”器件。

2、一只三极管驱动MOS，那么MOS的栅源间要加入一个泄放电阻，把Cgs的电荷放掉MOS才能关断。推挽驱动MOS管，由于有一个管子导通另一个管子截止，所以N型管给MOS充电时，P型管截止，MOS可以顺利导通。

3、两种接法供参考，前一种作为开关用比较简单。后一种接法用在频率比较高的场合比较好。

4、答案是可以的！具体请参考如下分析：不过MOS驱动，有几个特别的需求 1，低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。

5、增大充电电流是快速充电电容的关键所在。这样的充电电流同常达到安A级以上，这是单片机io口所不能达到的，所以我们需要用到三极管放大信号电流从而达到快速通断mos管的效果。

6、从外边看起来就像是在基极加了驱动电压，然后在集电极产生了放大后的电压。实际上BJT是个电流放大器件。MOSFET是用栅极电压控制沟道的开关程度，实现沟道（漏极）电流控制。MOSFET是个电压控制电流的器件。

可以用这个型号的MOS管：WPM2341-3/TR N沟道的，封装小巧，用在600mA电流的场景够用又有一定的余量，比较合适。

和单片机搭配的MOS管VDSS=20V或30V的即可，UT230UT230UT3400、UT340NCE3010等等都可以用单片机驱动，可以根据你用的功率来选择。如果VDSS在60V或者一样一般就驱动不起来了，30V以下的VDSS的MOS一般都可以驱动。

日系的可以做到，尤其富士的。富士FAP-|||B系列的VGS大多是5V。这些是低压管，市场定位不太匹配，可能成本比较高。列举几个型号给你：2SK2806-01；2SK2808-01MR；2SK2896-01L，S。

现在来说MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。

MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

B-E加5V驱动，基本上所有的开关三极管、MOS管、可控硅都能被驱动呀。

区别：载流子：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

三极管和MOS管做开关用时可用以下两种方法来区别。工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。

1、三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

2、区别：载流子：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

3、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。