cmos器件电源对地阻抗（cmos电路电阻接地）

发布时间：2023-08-04

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CMOS集成电路工作电压范围宽CMOS集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。国产CC4000系列的集成电路，可在3~18V电压下正常工作。

与TTL相比，CMOS的输入阻抗高，使其扇出能力比TTL强。此外，其阈值电压与电源电压有正比关系，比如低电平阈值0.3VDD，高电平阈值0.7VDD。

CMOS集成电路（BiCMOS）由双极型门电路和互补金属，氧化物，半导体（CMOS）门电路构成的集成电路。

cmos器件电源对地阻抗（cmos电路电阻接地）

1、cmos元件前面加上电阻并不能影响输入电阻。

2、就是把输入端通过电阻接到了地，COMS元件是电压控制的，输入电流很小（近乎是0），在电阻上的压差几乎是0（欧姆定律），也就是电阻两端电位相等，地就是0电位，就是低电平。

3、CMOS器件不用的输入端必须连到高电平或低电平，这是因为CMOS是高输入阻抗器件，理想状态是没有输入电流的。

4、是没有区别的，毕竟都是接地，那在接地之间先接高电阻还是先低电阻是没有差别的。CMOS是高阻抗电路，输入端通过电阻接地就是把输入端下拉到低电平，因为这个电阻远小于输入阻抗。

1、TTL输入端可以开路，相当于输入高电平，而CMOS输入端不允许开路，否则可能会造成电路不稳定甚至损坏，一般需要上拉或下拉电阻。

2、CMOS电路的特点是：静态功耗低，每门功耗为纳瓦级；逻辑摆幅大，近似等于电源电压；抗干扰能力强，直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右。

3、CMOS门电路，使用频率高（相对ttl）功耗小，驱动损耗小，自身消耗低，易于集成，但应用中要处理好，传输和干扰问题。

4、CMOS集成电路功耗低CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。

1、通过电阻连接到任意一个地上，也就是连接到与非门的地上，由于接地了就输出低电平。电源不能直接接地，所以要上拉电阻。

2、cmos输入端接电阻，无论是小电阻还是大电阻，一律算低电平。

3、输入端接大于Ron的电阻时，相当于高电平。（电阻前接VCC、VIH、VIL、接地都适用）输入端接小于Roff的电阻时，相当于低电平。（电阻前接VCC、VIH、VIL、接地都适用）（2）CMOS门电路输入端接任何阻值的电阻，都为低电平。

这个显然是指CMOS反相器的输出阻抗。它的说法好像不太对。应该这样说：在驱动器输出端，阻抗由漏极和源极之间的开启电阻Ron来控制。CMOS反相器的输出端任何时候都有一个管子连到电源或者地(不是NMOS就是PMOS)。

是没有区别的，毕竟都是接地，那在接地之间先接高电阻还是先低电阻是没有差别的。CMOS是高阻抗电路，输入端通过电阻接地就是把输入端下拉到低电平，因为这个电阻远小于输入阻抗。

也就是电阻两端电位相等，地就是0电位，就是低电平。因为CMOS电路输入阻抗很高，输入端通过电阻接地时，所以相当于低电平。CMOS是高阻抗电路，输入端通过电阻接地就是把输入端下拉到低电平，因为这个电阻远小于输入阻抗。

与TTL相比，CMOS的输入阻抗高，使其扇出能力比TTL强。此外，其阈值电压与电源电压有正比关系，比如低电平阈值0.3VDD，高电平阈值0.7VDD。