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晶体管特性图示仪测试二极管漏电流时限流电阻要根据电源电压、二极管的击穿电压、二极管的击穿电流等参数进行选择。电源电压U:是晶体管特性图示加到二极管和限流电阻上的电源电压,一般为三极管击穿电压的120%~200%。
选中5KV AC把二极管放在测试台上,在功耗电阻的那个下面。按左下角的一个高压输出键,调整电压。
二极管+接C极,-接E极。集电极电压选0.1V/度,集电极电流选1mA/度,电源电压选+10V,集电极电阻选1kΩ左右。这是用于小电流二极管参数,如果是大电流的整流管,可以加大电流刻度、减小限流电阻。
设定X方向电压,Y方向电流。然后用图示仪上的C,E 表棒接管子2端。
三极管基极的判别 用Rxlk电阻挡(PNP型晶体管用RX100电阻挡),不管是NPN管还是PNP管,测其be结和be结都应呈现与二极管相同的单向导电特性。检测时可以把三极管看成两个二极管。
稳压二极管的好坏肯定能测出来,方法是“采用晶体管测试仪测试,可以在测试仪显示屏上直接显示上面的图形,读出正向压降和反向稳压值。用模拟测试方法:如图 电压表读取的电压值,就是稳压二极管的稳压值。
IGBT在国内来说,开始越来越多的应用,在电网,电动车,新能源汽车,家电行业,充电桩等行业应用越来越广泛,目前IGBT测试仪,国内HUSTEC,华科智源等,进口的有美国ITC,德国LEMSYS,都很成熟了。
晶体管测试仪。不过价钱很贵几千块 操作和存储温度,存贮温度 这个就没法测。
供IQC品质人员使用SMT首件检测仪时使用。
IGBT,开关管测试仪的结构,电源部分用一块9V集成电池供电,电路部分用专用芯片提供驱动信号。显示部分为高亮发光二极管直观明了。只有三条引出线与被测器件相连。
对于单向TVS管,可以按照普通二极管的测量方法,可测出其正、反向电阻,正向电阻为4K5,反向电阻为无穷大;否则,说明TVS管性能不良或已坏。
1、将万用表置于R×1K挡,测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。
2、对于单向TVS管,可以按照普通二极管的测量方法,可测出其正、反向电阻,正向电阻为4K5,反向电阻为无穷大;否则,说明TVS管性能不良或已坏。
3、用万用表R×1K挡测量管子的好坏对于单极型的TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,一般正向电阻为4KΩ左右,反向电阻为无穷大。
4、你好,对于单向的TVS管我们首先可以用万用表来测量好坏,直接按照普通的测量二极体方法即可,可以测量出它的正向和反向电阻。一般正向的电阻为4k5左右,反向的电阻是无穷大。
5、tvs管其10/1000μs波脉冲功率从400w~30kw,脉冲峰值电流从0.52a~544a;击穿电压有从8v~550v的系列值,便于各种不同电压的电路使用。
6、借用万用表R1k挡来测量ESD静电二极管的好坏,可以参考普通二极管的测量方法,可测出其正、反向电阻,正向电阻为4K5,反向电阻为无穷大;否则,说明ESD静电保护二极管性能不良或已坏。
1、数字万用表可以测量发光二极管,整流二极管等。测量时,表笔位置与电压测量一样,旋钮旋到“ 二极管档”档。
2、用指针式万用表ΩX1K档测:黑表笔接二极管正极,指针偏转70%角度;两笔对调指针不动。满足以上测量结果表示二极管是好的,否则不正常。整流二极管是利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电。
3、检测二极管(使用二极管档)红笔接正极,黑笔接负极;可显示二极管的正向压降。正常应显示;硅管0.500~0.700,锗管0.150~0.300。
4、(一)普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。
5、普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。
6、时的电压值。测量二极管时就是二极管正向导通时的电压,测三极管时就是所测三极管中的一个结导通时的电压,测电阻时就是电阻在一定电流下的电压。用所测得的值可以粗略地判断二极管的材料、功率的大小等。
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