开关器件损耗（开关器件的损耗）

发布时间：2023-08-08

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大功率开关电源频率比较低，这是因为频率越高铁芯损耗越大，还有开关管的开关损耗也是和频率成正比的，频率升高趋肤效应也使线路的等效电阻增加，所以频率过高反而需要更大的散热器，导致电源整体体积增大。

为什么温度越高开关损耗越大？因为温度越高就说明电阻越大，那么在使用的过程中消耗自然会越大，所以说温度越高，开光损耗越大。

在这段时间内，开关管的电流和电压有一个交叠区，会产生损耗，这个损耗即为开通损耗。以此类比，可以得出关断损耗产生的原因，这里不再赘述。

通态损耗。通态损耗是器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增大而成为器件功率损耗的主要因素。

1、一般开关电源的效率（220v-48v）大于80%，效率以80%计算，它的功耗就等于负载功率/80%。

2、MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程。在此期间，MOS管的损失是电压和电流的乘积，称为开关损失。

3、输入功率=输出功率/效率。比如，开关电源是12V29A的，负载是12V1A。12V29A是指的开关电源的额定输出功率，12V1A指的是实际消耗功率。浪费不浪费则取决于开关电源的效率和实际消耗的功率。

4、功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。电路中通常指元、器件上耗散的热能。功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标，指在单位时间中所消耗的能源的数量，单位为W。电路中指整机或设备所需的电源功率。

开关器件损耗（开关器件的损耗）

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。质量好的MOS管，开关的损失也比较少。

mos管一定要选好参数，mos管本身的压降损耗，还有它的一个导通损耗和断开损耗，如果开关频率提高，它的损耗就会加大。变压器一定要绕好，尽量多股绕，降低损耗。

开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。由压控所导致的的开关特性。

通常情况下电力电子器件功率损耗主要是器件发热，谐波，容抗，感抗等原因造成器件功率损耗。

有功功率的损耗主要是摩擦和电路中电阻产生的热量，被消耗了。变压器的有功功率损耗包含铁损耗和铜损耗，前者因磁滞、涡流产生热量损耗；后者是线阻通过输出电流产生损耗。

电力电子器件功率损耗主要为通态损耗。电力电子器件的损耗主要包括有开通、关断、通态损耗。在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。

开关电源IC一般考虑的是效率，效率=P输出/P输入。

线路电流：电流值可以实测获得，也可以计算取得，单相220V线路电流＝设备额定功率／220，三相线路电流＝设备额定功率／额定电压／732／功率因素。

电损耗公式计算如下：电损耗=电流平方x电阻x时间其中，电流的单位是安培(A)，电阻的单位是欧姆(Ω)，时间的单位是秒(s)。电损耗简介：电损，指电流作了其它无用功而出现的电能耗损。

长度为1米的铜导线电阻是0.0185Ω。不同温度下的电阻率会有些差别，电阻率有一个温度系数.0.0185乘以100等于85也就是2欧左右，两根就是4欧左右，所以损耗也是很小的。接上线可以正常使用。

电能能损失计算（1）线路损失功率△P（kW）△P=3（KIP）2（Re+ReT+ReI）×10-3 如果精度要求不高，可忽略温度附加电阻ReT和负载电流附加电阻ReI。

问题一：用电损耗怎么计算公式损耗：变压器损耗2 变压器调整费5 高压电路损耗0.2 低压电路损耗02 问题二：用电损耗率是怎样算的可以根据变压器铭牌上的参数计算一下变压器的自身损耗，看看是多少。

IGBT的导通损耗和开关损耗当IGBT模块结温升高时，其内部电阻变小，导通损耗会减小，而开关损耗则会增加。当结温升高到一定程度时，开关损耗的增加会超过导通损耗的减小，导致总损耗增加。

一般来说，开关损耗远大于导通损耗，开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积越大，由此产生的损耗也很大。减少开关时间可以减少每次导通时的损耗；降低开关频率可以减少单位时间内的开关次数。这两种方法都可以降低开关损耗。

三大损耗：与功率开关有关的损耗、与输出整流器有关的损耗、与滤波电容有关的损耗。与功率开关有关的损耗功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分：导通损耗和开关损耗。