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1、半导体的光电导是指光照射半导体使电导增大的现象。本征半导体的电导能力（电导率）很小，经光照射后半导体内部产生光生载流子（电子或空穴），使其导电能力加大。
2、如果照射光的光子能量（hν）大于半导体禁带宽度，会引起电子从价带跃迁到导带，形成电子和空穴载流子，结果导致半导体的电导率增加，即电阻下降。
3、某些半导体材料受到光照射时，其电导率发生变化的现象。光照射到半导体上，价带上的电子接受能量，使电子脱离共价键。
4、温度的影响对于本征半导体主要是是迁移率下降，影响电导率。（但是对于掺杂半导体比较麻烦对于迁移率和载流子都会有影响）。光照激发则是产生光生非平衡载流子，改变载流子浓度产生附加电导。
5、光致导电性是指固体受光辐射时电导率发生改变的现象。在半导体中十分明显。
光电子器件主要有作为信息载体的光源、辐射探测器、控制与处理用元件器件、光学纤维、显示显像器件。
分立器件：具有一定电压电流关系的独立器件，包括基本的电抗元件、机电元件、半导体分立器件（二极管、双极三极管、场效应管、晶闸管）等。
问题六：光电子学的器件类别 光电子器件主要有作为信息载体的光源、辐射探测器、控制与处理用元件器件、光学纤维、显示显像器件。
光电子器件可分为体光电子器件、正反向结光电子器件、异质结和多结光电子器件。体光电子器件它是结构上最简单的一类光电子器件。半导体材料吸收能量大于禁带宽度的入射光子，激发出非平衡电子－空穴对（称为本征激发)。
基于光生伏特效应工作的光电器件是光电池、光敏二极管、三极管。“光生伏特效应”，简称“光伏效应”，英文名称：Photovoltaic effect。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。
。光电导效应对应的器件是光电导探测器，包括异质结靶光电导摄像管、视像管、硅靶摄像管等；2。光生伏特效应对应的器件主要是光伏探测器，包括光电池、光电三极管等；3。
外光电效应探测器包括光电管、光电倍增管。光电管基于外光电效应的基本光电转换器件。光电管可使光信号转换成电信号。光电管分为真空光电管和充气光电管两种。光电倍增管是将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件。
光电式传感器photoelectrictransducer，基于光电效应的传感器，在受到可见光照射后即产生光电效应，将光信号转换成电信号输出。
光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件，它是把光信号（红外、可见及紫外镭射光）转变成为电信号的器件。光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。
光电传感器常见有几种分类：⑴槽型 把一个光发射器和一个接收器面对面地装在一个槽的两侧的是槽形光电。发光器能发出红外光或可见光，在无阻情况下光接收器能收到光。
⑴槽型光电传感器 ⑵对射型光电传感器 ⑶反光板型光电开关 ⑷扩散反射型光电开关 具体的产品类型你可以看一下IMS的传感器，这是国内专业生产传感器的厂家，性能比较好。
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