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丝印为AISHB，属于P沟道MOSFET场效应管。
主要参数
晶体管好蠢类型 ： P沟道MOSFET
最大功耗PD ： 1.25W
栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值）
漏源电压VDS ：－20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：-2.3A，TA=70°时：-1.5A
通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
栅极漏电流IGSS：±100nA
结温：55℃to+150℃
封装：SOT-23(TO-236)
替代型号：WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS
封装肢锋类型：SOT-23
品牌：CJ
型号：SI2301
材料：硅(Si)
应用范围：友饥陪功率。
没提到VDS的要求，最大的如VISHAY的：SI2333CDS ：最大可以-5.1A，在VGS -0.45V;
SI2377EDS 可以到-4.4A。
电流：电流（current）是表示电流强弱的物理量，通常用字母 I 表示，它的单位是安培，符号 A ，也是指电荷在导体中的定向移动。
导体中的自由电子在电场力的作用下做有规则的定向运动就形成了 电流。 电源的电动势形成了电压，继而产生了电场力，在电场力的作用闭扰下，处于电场内的电荷发生定向移动，形成了电流。电流的大小称为电流强度，是指单位时间内通过导线某一截面的电荷量，每秒通过贺态此1库仑的电量称为1（A）。安培是国际单位制中所有电性的基本单位。 除了A，还有千安（禅迅kA）毫安（mA）、微安(μA) 。1A=1000mA=1000000μA，电学上规定：正电荷定向流动的方向为电流方向。电流微观表达式I=nesv,n为单位时间内通过导体横截面的电荷数，e为电子的电荷量，s为导体横截面积，v为电荷速度。
ASEMI低消没压MOS管SI2302的参数为：最大码码电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为迟桥哪0.14Ω，漏极极容为2.7nF，能耗为1.8W，最大功耗为5.5W。
查了一下A2的代码，SOT-23封装的都是二极管，没有MOS管，倒是A02有哦
⒈☞关于以上相同的S0T23，三极管和mos管承受的功率一样吗，向这兆贺判问题，那首先你得知道那mos管的具体族改型号，然后根据mos管的型号，才能可以查到该mos的功率等参数，否拍指则很难搞定的。
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