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②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。③、向那5N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：5A//T0-220封装//。
耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
两者数据相差不大，如果机器的最大电流不超过75A的话可以替换。可以混用。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管(简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
当电压不超过600V，可以相互代换。三极管替换需要注意，不是使用三极管所有的参数，而是只使用其中部分参数，所以替换原则第1就是看功用。例如用于高频小信号放大的三极管，主要看三极管的使用频率。
MOS管在使用时漏极D和源极S之间也存在最大电压，MOS管在工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般而言MOS管的耐压值比三极管的耐压值高很多。从工作稳定性考虑，一般要留有30%-50%，甚至更多的余量。
尤其是mos管导通之后的内阻太低，容易被瞬间大电流冲击烧坏。去年理解了柔性硬件设计思想，并且也看到很多成熟的设计还是用三极管，所以看到这个带阻三极管，就想着在其它电路中把MOS管替换成带阻三极管。
AM2321P是MOS管，P沟道 20V (DS) MOSFET，封装为SOT23-3。
AOD442 60V，38/27A，N 高压板MOS管 贴片 AOD442 60V，38/27A，N 高压板MOS管 贴片 AOD444 60V，12A，N 高压板MOS管 贴片 AOP600 内含P、N沟道各1，30V 5A、30V 5A。
第一个：全型号是IRFR5305， P沟道MOS，封装是TO-252，厂家是IR，脚位是GDS，参数是31A 55V.第二个不清楚，估计是Ni沟道MOS 20A600V GDS脚位，这个是猜的。
IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。
有100V，200V，300V，400V，500V，600V的电压。
1、这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
2、SPW47N60C3的基本性能参数 SPW47N60C3是一款高性能的功率MOSFET，具有优异的电气性能和热性能。它的主要参数包括：最大漏极电流为47A，最大漏极-源极电压为600V，最大导通电阻为0.19欧姆，以及最大结温为175℃。
3、V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。
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