行业资讯
找不到最大电流60A的，瞬时脉冲电流可以超过60A，但是连续电流最大只有50A的，导通内阻也没有那么小的。MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。
si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为3A时，压降约为.03欧姆。
ao3400，N沟道的场效应管，sot23封装，30V耐压，导通电阻100毫欧，过100mA电流时压降不到10mV。
你这个是不是要的是Vgs（th）=2-4V呢，而不是Vgs=2-4V。Vgs（th）是MOS管的开启电压，一般来说，只有Vgs（th）才会这么小的。
驱动电压VGS大于3V的低压P沟道MOS有哪些型号？ 紧急，在线等 想实现的功能：PMOS管，S级有2V，G级0V时导通。当G级输入5V时，MOS管断开... 想实现的功能：PMOS管，S级有2V，G级0V时导通。
MOS管应该要用P-MOS而不是N-MOS，同时加一个电阻分压，防止Vgs过电压；电路用N-MOS的话，VT1截止Vg才为高电平，输出电压跟负载有关。
你的1N4743是稳压为13V的稳压管，现在电源都只有12V，所以D2其实并不起作用。Q1的状态其实是截止，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是多少呢？MOS管的状态是UGS决定的。
可能的原因：电路设计不合理，导致MOS管工作在放大区。Vgs给得太小，MOS没有完全打开导通，Vgs最小2V，最大4V。Rds最大为0.45Ω，工作温度高，通过电流大，导通压降就会大。
1、正常N沟道的立马截止关断；摸负极的手拿开，再摸栅极应该导通，不行就一手摸一下电源正极一手摸栅极，要导通，关不断就是短路以报废，P沟道的就反着来实验。
2、对抗性方法：强制散热，增大散热片面积，将MOS管与散热片紧贴（加硅胶），必要时采用强制风冷（风扇吹）等等。
3、在你测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。
4、MOS管应该要用P-MOS而不是N-MOS，同时加一个电阻分压，防止Vgs过电压；电路用N-MOS的话，VT1截止Vg才为高电平，输出电压跟负载有关。
1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
2、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
3、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
4、它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
V。GS极的耐压值，正向和反向都是20V，超出这个值，管子会坏需要注意。MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。
v。根据查询家电维修论坛显示，mos管焊机4点电位电压0v，3525的11和14脚都要3v输出，输出端正反测量压降为0.2v和6v，是高电位导通的。
si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为3A时，压降约为.03欧姆。
MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
最好要在12V左右。mos管厄雷电压最好要在12V左右，这个电压越底，导通损耗越大。mos管是金属氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属、绝缘体、半导体。
这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的，会击穿。
1、这是变压器有饱和现象，或者线端口接触不良导致。控制器（controller）是机器的核心。标准定义为：按照预定顺序改变主电路或控制电路的接线和改变电路中电阻值来控制电动机的启动、调速、制动和反向的主令装置。
2、开关接触不良。mos开关输出时，电压过冲原因可能是输入端开关接触不良，导致开关电路短路，产生输出过冲。开关的词语解释为开启和关闭。它还是指一个可以使电路开路、使电流中断或使其流到其他电路的电子元件。
3、是否漏极电压3V选择过低等，对于三极管驱动不足是单片机高电平驱动时常见的现象，通常解决办法是在单片机输出口外接上拉电阻，以补充单片机拉电流驱动能力的不足，使得单片机输出高电平时三极管能够饱和导通。
4、PNP开关电路：NPN开关电路：3V控制5V开关电路 总结：PNP和P-MOS管的电路是兼容的，区别在于MOS一般通过的电流更大，NPN和N-MOS同理。另外，P-MOS管和N-MOS管的电路不可兼容，即N-MOS管不能接在VCC上作开关功能。
5、一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。
6、这里有现成的图，不过是别人发的贴，你可以参考。用P沟道MOS管构成的电源开关电路，高电平开启，低电平关闭。注意图中Q1的D、S极标错了，需要对换过来。
一点销电子网
Yidianxiao Electronic Website Platform
© 一点销电子网 版权所有 备案号：苏ICP备2021032763号-1
