2302mos管（2302mos管代换）

发布时间：2023-08-30

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ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

SI2301是P沟道，SI2302是N沟道。不能代替的！ME2302可以代替SI2302。

vc2010这个密钥是可以重复使用的。包括很多微软的软件的密钥都是可以重复激活的。比如windows操作系统的密钥零售版都可以在一台电脑上重复使用的。

vc通用的，但是技能点和徽章在mc里不通用，换了新的存档徽章和技能点就没有了。_C用途：_C的最大用途是在MC模式中升级主角的属性，例如三分、后撤步、投篮、切入等。_C还可用于MT模式。

当把寄存器看做寄存器操作数时，4个16位通用寄存器分别是AX、BX、CX、DX有因为每个又分别包括低8位和高8位，所以也可以当作8个8位寄存器来使用。（如AX包括AH高8位、AL低8位）而sp、bp、si、di只用来存放偏移地址。

①、关于以上的这MOS管Sl2302是不能替代AO3400A管子的，原因是，向那SI2302属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：20V//电流：1A，而那AO3400A也属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：30V//电流：7A//。

2302mos管（2302mos管代换）

所以，cj2302可以用cj3400代替，但cj3400不能用cj2302代替。

ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

相对于三极管，用小功率mos管，比如SI230SI2302，在实际使用中不是很理想，主要是微功率MOS管，容易烧坏，抗冲击能力太弱尤其是mos管导通之后的内阻太低，容易被瞬间大电流冲击烧坏。

is281-4完全可以替代后者，都是4路光耦，也可以相互替代，两者没什么大区别。2502主要参数：20v，2a，3w。3404主要参数：30v，8a，4w。

价格应该可控硅最贵，IGBT次之，MOSFET最便宜。

国外认知度较高的品牌相信很多客户并不陌生：英飞凌，安森美，仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等。

又有一款用着800V电气架构的车智己LS6，最快预计成都车展将要上市。这台车，似乎要给出一个特别惊喜的价格，结合智己LS7来看（最低售价298万元，定位中大型SUV），智己LS6的起售价格可能会压的更低。

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ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。

ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

看功率等级，大功率一般用IGBT，小功率用MOSFET，器件首先决定了开关频率的上限。拿中大功率 IGBT来说，比较常见的硬开关电路，开关频率上限是 20 kHz，MOSFET根据功率等级不同，可以做到 100 kHz 以上。

SI2301，P沟道MOS管，耐压20V，电流8A，峰值电流10A。耐压太低，用在某些低输入电压的DC/DC变换器上还可以，一般开关电源都用高耐压N沟道MOS管，它就不合适了。

IRF3205导通内阻小很多（约8毫欧），可以降低损耗，但耐压比540低（3205 60V；540 100V)如果耐压满足的话就选3205。频率最大可到100K，一般选50K较合适。