半导体开关器件驱动电阻（半导体开关元件）

发布时间：2023-09-02

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1、场效应管的驱动电压是2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

2、IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

3、瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS傩就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。

4、电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。功率半导体器件通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上。

半导体开关器件驱动电阻（半导体开关元件）

1、选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

2、(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

3、在Rc上没有压降，输出当然为Ec。为何如此？12-6=+6，基极正偏，而且Ib很大，使管子很快饱和。为何电位下降到了0？三极管饱和时，VCE=0.3v，可以看做0v，即导通接地。以上知识可以在《脉冲与数字电路》一书中找到。

1、二极管正向导通时，它的正向电阻r =（正向压降v）/（正向电流i），其中，正向压降v 在二极管正向导通时基本不变（硅管约0.7v；锗管约0.2v）。所以，它的正向电阻r 不是不变的，它与正向电流i 的大小有关。

2、发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω；反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关，当二极管的正向电流在变化时，二极管的正向电阻将随之微小变化，正向电流越大，正向电阻越小，反之则越大。

3、二极管的正反向电阻根据材料有所不同，有大有小但一般来说反向电阻的阻值都会在300kΩ~无穷大，而一般正向电阻则会比反向电阻小100倍以上。例如：小功率锗二极管的正向电阻为300Ω～500Ω，硅工极管为lkΩ或更大些。

4、二极管为非线性元件，其阻值是不固定的，在一般的检测中，锗材料二极管的正向电阻值约为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。

5、对于单极型的TVS，一般正向电阻为4KΩ左右.对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。

1、晶体管的开关特性有二种，一种是：二极管的稳态开关特性；一种是：二极管的瞬态开关特性。二极管的稳态开关特性：电路处于相对稳定的状态下晶体管所呈现的开关特性称为稳态开关特性。

2、半导体二极管最重要的特性是单向导电性。即当外加正向电压时，它呈现的电阻（正向电阻）比较小，通过的电流比较大；当外加反向电压时，它呈现的电阻（反向电阻）很大，通过的电流很小。

3、这样，二极管的通断和通断，就等于通断开关。二极管的主要特性是什么二极管的特性是单方向导电性质。在线路中，电流只会从二极管的正极流入负极而流出。

热敏电阻主要作用是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。热敏电阻还可用作仪表电路温度补偿和热电偶冷端温度补偿的电子电路元件。利用负温度系数热敏电阻的自热特性，实现了自动增益控制，构成了RC振荡器的振幅稳定电路。

由于半导体热敏电阻有独特的性能，所以在应用方面它不仅可以作为测量元件（如测量温度、流量、液位等），还可以作为控制元件（如热敏开关、限流器）和电路补偿元件。

利用半导体热敏电阻的温度特性是可以做温度计的我们常用的二极管，通常说正向压降是0.7V，实际上这个电压并不是准确的0.7V，温度每升高一度，这个电压就会降低大概8mV，也可以利用这个特性来测量温度的。

由于半导体热敏电阻有独特的性能，所以在应用方面，它不仅可以作为测量元件。还可以作为控制元件和电路补偿元件，热敏电阻广泛用于家用电器、电力工业、通讯、军事科学、宇航等各个领域，发展前景极其广阔。

1、另外在门极电流故障，或者门极电路不能正常工作的状态下，主电路外加电压时，也会由于上述理由使IGBT受损，所以在门极-发射极之间连接10k-100K左右的电阻。

2、IGBT供极电源的电阻值取决于它的类型，大小和用途。一般而言，它的电阻值范围在几毫欧姆到100小时之间。但要注意，这是一个比较广泛的指标，IGBT的电阻值还取决于它的工作温度，驱动电压，固定方面，封装等等。

3、IGBT管的G极到c、 e极的电阻应为无穷大，即Rgc= Rge =无穷大，而IGBT管的之间有阻尼-极管的存在，因此具有单向导电反向截止特性，即Rce =无穷大，Rec= 几千欧。