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传输门相当于一个双向模拟开关不对的。传输门相当于是一种传输模拟信号的模拟开关，并不是双向模拟开关。传输门就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成。
CD4066是一种双向模拟开关，在集成电路内有4个独立的能控制数字及模拟信号传送的模拟开关。
实际上，FPGA无法完成你需要的模拟开关的功能，但是，可以通过FPGA的数字IO控制外部的模拟开关器件来做模拟选择功能。
bu4066bc是四双向模拟开关。CMOS芯片，看CD4066资料。
HCF4016是四双向模拟开关，输入与输出的导通电压的大小和电源电压有关。开关阈值电压，在电源电压5V时，典型值为25V。开关阈值电压，在电源电压10V时，典型值为5V。开关阈值电压，在电源电压15V时，典型值为75V。
mos管用作了可双向导通的开关，工作在开关状态。
截止状态：当输入的负偏置信号（例如地）加到mos管的基极上时，使管子导通而工作于截止区。在这种情况下输出端没有电流通过。
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。
反向也是可以通的，当MOS管导通，D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路，可以看出导通方向是S到D，不是D到S。
好奇葩的问题！如果源级电压小于漏极电压，那么栅漏电压大于开启电压的同时栅源电压也必然大于开启电压，也就是开启。如果源级电压高于漏极电压，那两者就反过来了，还是开启。
1、朋友，我想你应该上图书馆去查询比在网上查询更快。
2、MOSFET 基本工作原理 通过改变栅源电压VGS来控制沟道的导电能力，从而控制漏极电流ID。因此它是一个电压控制型器件。转移特性反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 。
3、MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
4、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
5、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
6、由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
1、可以购买由双向可控硅制作的固态继电器控制比较方便只要一个3到30V的直流电源即可。使用场效应管自己制作开关比较麻烦。并且费用偏高。
2、当然可以，而且大部分是用于开关状态，MOS管用于放大的例子还真不多。
3、带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
4、现在都是NmOS管，因此前面要加一级反相放大。有太阳光时前级导通，MOS管关闭，反之，MOS管开通，用普通PNP三极管则一级就可以了，但三极管的电流放大倍数要大一些。
5、两种方案：方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。方案2用N沟道场管，IRF640N可行。两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。
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