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静态参数：饱和压降（VCEsat）1~3V，主极漏流（ICESS） 1~7mA，门槛电压（VGEth） 3~6V，门极漏流（VGESS）100~400nA，续流二极管压降（VF） 1~3V。
管压降可以理解为电流通过时两端的电压 例如二极管正向导通时的管压降硅管为0.7V锗管为0.3V 变频器中的IGBT模块触发导通时，同样会有管压降。压降乘以电流就是IGBT模块的发热耗散。
VCEsat 一般2-4V。（同样的管子集电极电流越大VCEsat越大，同样的管子驱动电压越高VCEsat越小）。
在通态中，IGBT可以按照“第一近似”和功率MOSFET驱动的PNP晶体管建模。图3所示是理解器件在工作时的物理特性所需的结构元件(寄生元件不考虑在内)。
导通时两端就是压降（全导通）啊，也要看导通角，如果导通角很大，两端电压就有点高；阻断时就是电网电压；温度升高，触发电流、维持电流变小，正反向漏电流、正反向击穿电压升高。
可控硅导通（相当于在某一时刻只有一条导线）晶闸管关断后两端电压是多少？（由加在可控硅上的电压和回路参数确定。
晶闸管导通时，晶闸管的等效电阻接近零，电流在晶闸管内阻上产生的电压降接近于零。亦即，晶闸管俩端的电压几乎为零。
一般都是0.7V左右。但由于厂家、材料、工艺等条件，每个晶闸管的控制电压不是都一样的！一般晶闸管都附带有出厂时测试的参数。实际使用时适当高一些可提高触发的可靠性。
晶闸管导通状态的电压约是（一般在V级，随电流大小有变化）（1 V）；晶闸管的门控电压应为 (单向晶闸管为正，双向晶闸管，可以有正，可以有负电压）（正）后面为可能需要的答案。
去掉触发电压，仍然维持导通状态。晶闸管关断：断开阳极电源或使阳极电流小于维持导通的最小值（称为维持电流）。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。
1、铺铜，铜上再露网格状铜，网格的线条弄宽一些，譬如2mm，露铜的地方再上锡，这样的散热效果就会好些了。烤盘的功率怎么也有上千瓦吧，可控硅要选电流更大一点的。
2、加大散热可以驱动。散热器的散热面积至少是to-220的20倍，自然冷却。可以使用一个显卡上的带金属板小风扇，将你的晶闸管直接安装在金属板上，风冷散热。建议使用26A的晶闸管，也是TO-220封装，价格差异很小。
3、可控硅一般都有散热器，在散热器上放一个温度传感器（或者温度继电器），让这个温度传感器（或温度继电器）给单片机产生中断信号。
4、嗯，这个软启动开关显示可控硅过热的话应该是现在他的处理已经超载了这个时候的话，我们就应该关注关注这个系统。
5、轴承工作不正常，必定造成电机发热 轴承工作是否正常可凭听觉及温度经验来判断。
1、mcr100-6可控硅出触发电压为0.4-0.8V，触发电流为10mA。可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。
2、mcr100-6是400V；mcr100-8是600V。如果用在220V的线路中都可以，如果用在反压较高，或有较高自感电势的线路，当然选电压高的更可靠。
3、这个电路是典型的声控开关，可控硅100-6最大电流为1A，一般用到0.5A以内较保险。
4、三极管MCR100-6是单向可控硅三极管\x0d\x0a\x0d\x0a单向可控硅特点\x0d\x0a先进的玻璃钝化芯片、具有灵敏的控制极触发电流，通态压降低。
5、不会损坏。最大触发电流指的是能使可控硅导通需要的最大门极电流，而不是会导致可控硅损坏的最大门极电流。
而MCR的阳极串接R1到低压(+12v)电路上，所以MCR导通与否不影向C1 或C3电压。
不行，因可控硅的参数不一致，不可能同时导通或关断，因此会有抢电流现象，然后会分别烧毁。理论和现实有很大区别。
可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。图3-30是可控硅的伏安特性曲线。
当充电电压t1管的峰值电压up时，管子由截止变为导通。于是电容c通过t1管的e1，b1结和r2迅速的放电，结果在r2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅scr的控制极，使可控硅导通。
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