三极管压降（整流二极管怎么测好坏）

发布时间：2023-09-13

阅读量：26

本文目录一览：

1、三极管管压降就是指集电极与发射极的电压。一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

2、Uce=Uc-Ue，其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”（即参考点）电压。正常工作时，基极电压Ub比发射极电压Ue高一个发射结压降Ube，所以：Ub=Ue+Ube，其中Ube是三极管的属性，硅管约0.7V、锗管约0.2V。

3、三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

4、因此发射结的压降也很小，小于集电结的压降。对于饱和状态，三极管的发射结和集电结都处于正偏状态，两个结的压降都很小，但由于存在管压降，集电结的压降相对发射结的压降略小一点。

三极管压降（整流二极管怎么测好坏）

1、三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降，一般在1V左右。

2、饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。

3、饱和压降就是：当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（ C）与发射结（E）之间的电位差。压降就是：两点之间的电位差。饱和。

4、三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

5、集电结处于正向偏置时，晶体管工作于饱和状态，这个饱和状态值的是电流饱和，因为当集电结处于正向偏置时，导通，管压降也就是他导通时的电压降。管压降理解为电流通过时两端的电压。

6、当晶体管完全、充分导通，CE之间的总有一定的电压，不可能为0，饱和压降就是指这个最小电压。三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。

1、三极管有三个状态：放大、截止和饱和。讨论三极管PN结的压降，应该先明确三极管的状态。

2、当三极管处于放大状态时，基极电压比发射极电压高约一下PN结压降（0.6V左右），集电极电压处于电源电压与发射极电压之间（一般来说至少比发射极电压高1V）。

3、三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES=-0.3V)，而UCES=0.3V，可见，UBE0，UBC0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。

4、三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

1、饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。

2、饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。

3、集电结处于正向偏置时，晶体管工作于饱和状态，这个饱和状态值的是电流饱和，因为当集电结处于正向偏置时，导通，管压降也就是他导通时的电压降。管压降理解为电流通过时两端的电压。

4、不能这么说。Vce是表示发射极和集电极之间的压降，在饱和时可以这么等于，但是不在饱和时Vce就不能称为饱和压降了。

5、当晶体管完全、充分导通，CE之间的总有一定的电压，不可能为0，饱和压降就是指这个最小电压。三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。

管压降---就是Uce，集电极与发射极之间的电压。发射结压降---就是Ube，基极与发射极之间的电压。

三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

通常指的是C，E之间的电压降，也就是Uce。由于三极管的主回路在c，e之间，而b，e只是控制端，所以单说管压降指的就是Uce。

饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。