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1、GTO(门级可关断晶闸管):全控型器件 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 。
2、其中属于双极器件的有:SCR、GTO、GTR以及IGBT;单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器,也叫晶闸管,主要用在类似于二极管的领域,其与二极管不同的是,正向工作时,可通过门极电流来触发导通。
3、IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
4、mosfet是由电压控制器件,开关速度比三极管快,内阻比三极管低。所以适合做开关管,开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些,特别是off time.但是,它容易做到高电压,大电流。
5、电压控制型比如MOSFET和IGBT 电流控制型比如BJT,GTO,GTR等等。
6、主要作用:普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
首先,准备好可控硅直流电源组件,包括正负电源输入端子和输出端子。将焊钳的电缆接到电源输出端子上,注意要分清正负极性,一般焊钳的电缆红色的接在正极,黑色的接在负极。
一般需要5V以上或者10mA左右的驱动电流,如图所示,这里RL为负载,R1为驱动限流电阻,如果你所使用的单向可控硅驱动电流很小,可以增大R1的值。
这是一个由3个晶闸管造成的共阳晶闸管模块,主要用于三相半波整流电路。或者与共阴三相半波整流组成三相全控桥。
电源的两根进线,一根直接接变压器的一端。如B相。另一根过反并联可控硅后接到变压器一端。如A相。7是触发信号,能接收脉冲信号。只一个功率足够的脉冲就可以触发它,到零点后自动关闭。
双向可控硅:双向可控硅是一种硅可控整流器件,也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
可控硅可以调压。可控硅可以用在交流电路中,也可以用在直流电路中。
可控硅是利用单向导通原理,与二极管一样起到交流电整流为直流电的作用。所谓可控硅就是可以通过“触发极”的控制来改变整流后的直流电压。
可控整流是用晶闸管(可控硅)组成的整流器可以在交流电压不变的情况下,方便的改变直流输出电压的大小即可控整流。
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