二极管的正向电阻（发光二极管的正向电阻）

发布时间：2023-05-28

阅读量：85

本文目录一览：

二极管的正反向电阻根据材料有所不同，有大有小但一般来说反向电阻的阻值都会在300kΩ~无穷大，而一般正向电阻则会比反向电阻小100倍以上。例如：小功率锗二极管的正向电阻为300Ω～500Ω，硅工极管为lkΩ或更大些。

点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1K的多为高频管。硅高速开关二极管的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5K～10K 。

你是想检查二极管的好坏吗？一般是用万用表的电阻挡R*100测量其正反向电阻值，两者的差越大越好。一般是正向电阻500欧姆左右，反向电阻10千欧左右。

晶体二极管控反向电阻越大越好，一般都接近无穷大。正向电阻一般在500-1000欧。

由 I--U曲线可看出，导通电压约为1V，二极管正向导通电阻约为500欧姆，假设二极管导通。则两个二极管的电阻为1000欧姆，和R2并联后总电阻为500欧姆，所以两个二极管两端的电压为2V，满足导通条件。所以假设是正确的。

二极管的正向电阻（发光二极管的正向电阻）

1、黑笔接二极管正极，红笔接二极管负极测出的结果是正向电阻，一般正向电阻用最低电阻挡侧，一般是十几欧姆到二十几欧姆，档位不同结果也不同，如果测得结果是0或是很大，则二极管坏了。

2、二极管的正反向电阻根据材料有所不同，有大有小但一般来说反向电阻的阻值都会在300kΩ~无穷大，而一般正向电阻则会比反向电阻小100倍以上。例如：小功率锗二极管的正向电阻为300Ω～500Ω，硅工极管为lkΩ或更大些。

3、二极管正向导通时，它的正向电阻r =（正向压降v）/（正向电流i），其中，正向压降v 在二极管正向导通时基本不变（硅管约0.7v；锗管约0.2v）。所以，它的正向电阻r 不是不变的，它与正向电流i 的大小有关。

4、理论上二极管具有单向导电性：解释为，正向导电电阻为零，反向导电电阻无穷大。

5、发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω；反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关，当二极管的正向电流在变化时，二极管的正向电阻将随之微小变化，正向电流越大，正向电阻越小，反之则越大。

6、它的原理是电流从二极管正端流向负端二极管电阻是很小的可以导通。

1、二极管正向导通时，它的正向电阻r =（正向压降v）/（正向电流i），其中，正向压降v 在二极管正向导通时基本不变（硅管约0.7v；锗管约0.2v）。所以，它的正向电阻r 不是不变的，它与正向电流i 的大小有关。

2、锗材料二极管的正向电阻值大约为1000Ω，反向电阻值大约为300Ω。二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都由二极管来构成的，由于二极管等元件的发明，才有我们现在丰富多彩的电子信息世界的诞生。

3、二极管为非线性元件，其阻值是不固定的，在一般的检测中，锗材料二极管的正向电阻值约为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。

4、发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω；反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关，当二极管的正向电流在变化时，二极管的正向电阻将随之微小变化，正向电流越大，正向电阻越小，反之则越大。

5、锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。

3、发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω；反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关，当二极管的正向电流在变化时，二极管的正向电阻将随之微小变化，正向电流越大，正向电阻越小，反之则越大。

4、锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。

5、二极管为非线性元件，其阻值是不固定的，在一般的检测中，锗材料二极管的正向电阻值约为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。

6、首先二极管正向电阻值是非线性的，其阻值会因所用测量工具不同而不同，所以把它说成压降更为合适，当给一个二极管加上正向电压，硅管压降为0.6-0.8v，锗管为0.2v左右。二极管反向电阻最好为无穷大。