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内光电效应是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化（比如电阻率改变，这是与外光电效应的区别，外光电效应则是逸出电子）。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。
外光电效应 光照在照在光电材料上，材料表面的电子吸收的能量，若电子吸收的能量足够大，电子会克服束缚逸出表面，从而改变光电子材料的导电性，这种现象成为外光电效应。
问题三：内外光电效应的区别 外光电效应指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。
光电效应的类别 外光电效应：指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。
在光线照射下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。当光线照在物体上，使物体的电导率发生变化或产生光生电动势的现象叫做内光电效应，所以内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。
1、光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。
2、光电效应只能分为两类，光电效应分为：外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。
3、。光电导效应对应的器件是光电导探测器，包括异质结靶光电导摄像管、视像管、硅靶摄像管等；2。光生伏特效应对应的器件主要是光伏探测器，包括光电池、光电三极管等；3。
4、外光电效应：指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。内光电效应：指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。
外光电效应中最常用的就是PMT，光电倍增管，主要用于探测弱光，如荧光分析。内光电效应中常用的器件有Photodiode，简称PD，一般叫光电二极管，还有比较常见的器件有APD。
光生伏特效应在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。 基于该效应的 器件有光电池和光敏二极管、三极管。
高中我们学习的那个光电效应是外光电效应。光电导效应就是电导随光照而变化。
但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量，就可以将其激发到导带中，形成载流子，增加导电性。光照就是一种激励方式。光导管（又称光敏电阻）就是利用内光电效应制成的半导体器件。
光电子发射：现在常用的半导体发光材料基本上都可以属于这一类，常见的元器件有LED（发光二极管）。光电导效应：光敏电阻。
内光电效应 当光照射到半导体表面时，由于半导体中的电子吸收了光子的能量，使电子从半导体表面逸出至周围空间的现象叫外光电效应。利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。
外光电效应：物质吸收光子并激发出自由电子的行为。当金属表面在特定的光辐照作用下，金属会吸收光子并发射电子，发射出来的电子叫做光电子。光的波长需小于某一临界值时方能发射电子，其临界值即极限频率和极限波长。
问题二：什么是光电效应 光电效应是指，当光线照射在金属表面时，金属中有电子逸出的现象，称为光电效应.逸出的电子称为光电子。光电效应发生的原因是金属表面的电子吸收外界的光子， 克服金属的束缚而逸出金属表面。
光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。
内光电效应：现代很多光电探 测器都是基于内光电效应，其中光激载流子（电子和空穴）保留在材料内部。
内光电效应中常用的器件有Photodiode，简称PD，一般叫光电二极管，还有比较常见的器件有APD。
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1、外光电效应 光照在照在光电材料上，材料表面的电子吸收的能量，若电子吸收的能量足够大，电子会克服束缚逸出表面，从而改变光电子材料的导电性，这种现象成为外光电效应。
2、光电效应一般分为外光电效应和内光电效应。 内光电效应是被光激发所产生的载流子 (自由电子或空穴)仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。
3、内光电效应是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化（比如电阻率改变，这是与外光电效应的区别，外光电效应则是逸出电子）。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。
关键词：光电三极管 光电二极管 内光电效应代表光电器件 光电器件 电阻
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