可控硅温度控制（可控硅温度控制电路图）

发布时间：2023-05-29

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可控硅温度控制，电路电流摆动比较大，温度正常可能是电阻原因或者是电压调控。

温控升温正常，电流表从0～100摆动大，应该是电流表接触不良，可使用钳形电流表测量比对电流是否同步摆动区分。

控制器控制加热设备的能力不足，加入可控硅可以增强控制器的控制能力，使其能够更精确地控制加热设备的电流，从而降低温度波动。可控硅是一种半导体器件，通过控制其导通角度可以实现对电流的控制，从而实现对加热设备的控制。

产生过电流的原因多种多样，当变流装置内部元件损坏、控制或触发系统发生故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、负载过载等，均会引起装置中电力电子器件的电流超过正常工作电流。

可控硅温度控制（可控硅温度控制电路图）

你需要的配置是晶体管输出plc，模拟量输入模块。模拟量输入模块采集温度，pid根据这个温度运算，输出值程序转化为占空比脉冲，脉冲触发可控硅动作。建议你用固态继电器，比较方便。

如果原来的设备就是用PLC直接控制加热的，那么后面的不是可控硅，而是固态继电器。

控制温度基本上有两种方法：一通过时间控制，温度不需要精确控制时就可以采取这样的方法，通过plc内的定时器控制输出端。

1、可控硅电力控制器的基本原理是通过控制信号输入，去控制串在主回路中的可控硅（晶闸管）模组，改变主回路中电压的导通与关断，由此达到实现加热器控制。

2、可控硅控制加热，有两种方式，一是移相式。一是脉冲式。前者就是在正弦波不同位置导通（导通角）来改变加到电热元件上的电压的。后者是以一个时间段导通不同比例有时间来控制加热的。前者的调功器线路比较复杂。

3、移相触发加热MTC可控硅模块导通角被调整，电压随之变化，从而调整加热功率；过零触发加热即通常所说的固态继电器，加热时，电压不变化，实际是脉冲通断信号。

用可控硅控制器控制热阻丝两端所加的电压大小来控制温度，使对应电炉温度0－300℃，是办不到的，除非你的环境温度低于零度。你只能做到环境温度---300℃。

可控硅电力控制器的基本原理是通过控制信号输入，去控制串在主回路中的可控硅（晶闸管）模组，改变主回路中电压的导通与关断，由此达到实现加热器控制。

温度与流经电阻丝的电流有关，也就是与两端所加的电压有关，在阻值大小不变的情况下减小两端电压就会降低温度，增加电压温度升高。

在要求不高的场合可以使用最简单的调压电路：将两个单向晶闸管正反向并联，将两个控制极之间串联一个可调电阻，调节地调电阻的阻值输出电压随之改变。

不合理，因为相差太大，控制不稳定，输出波形太尖；而且一旦失控，220V的电压直接加在发热管上，后果很严重。最好是把220V变压到20-30V左右，再用可控硅控制。见图，单片机检测交流电的过零点，控制可控硅的导通角即可。

1、不能过载使用，并且要注意电炉负载类型如恒阻性负载，变阻性负载等，要于所选用的可控硅电炉温度控制器的工作方式相匹配，这样才能构成合理的温度控制系统，并达到理想的控温效果。

2、可控硅电力控制器的基本原理是通过控制信号输入，去控制串在主回路中的可控硅（晶闸管）模组，改变主回路中电压的导通与关断，由此达到实现加热器控制。

3、温度控制器相当于人的大脑，它去对比设定值与被测值之间的关系，从而判断自身输出还是不输出信号。

4、是以精密控温为核心的电加热电炉温度控制设备。控制器控制系统的主回路采用了可控硅移相集成电路。电加热温度控制器定时加热可以设置0-12小时。定时控制是指在控制主机内提前对家中电器设定循环周期以及每次工作的时长。

5、度以下发热体可采用电炉丝或者硅碳棒，1300-1700度要用硅钼棒加热，电炉丝或者硅碳棒为阻性负载可用移相触发和过零触发，硅钼棒是感性负载必须用移相触发，还要把感性负载转化成阻性负载。

6、作为电炉的温度控制可以不用可控硅调压，可控硅调压电网干扰很大，最好是用过零触发功率调节电路或过零固体继电器，过零固体继电器配合温度控制器工作电气线路简单工作稳定可靠。