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1、先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极,黑表笔依次接触另外两个电极,分别测量它们之间的电阻值,若测出均为几百欧低电阻时,则红表笔接触的电极为基极b,此管为PNP管。
2、先对MOS管放电,将三个脚短路即可;首先找出场效应管的D极(漏极)。
3、N沟道MOS场效应管好坏的测量方法 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。
4、根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。
5、在上述场效应管测试框图中,SMU CH1的正极连接到FET的栅极,SMU CH2的正极连接到FET的漏极。如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量,FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。
6、第三步:如果第二步的测量正常,则表示无刷控制器基本正常,把控制器与车体线路正常连接,接通电源,拔掉制动线,用万用表电压档测量转把5V电压是否正常。若以上测试正常,表示控制器基本正常,否则可判定控制器损坏。
1、测量直流电压要先保证通道的耦合方式处于直流状态,像电池电压的话因为比较低,探头衰减比一般1X即可,垂直档位设置1V或者500mv。然后确保示波器的触发模式处于自动状态。
2、可以;将示波器接在用电器的两端即可直接测量经过电路的电流大小。不同量程的示波器所测电流大小的范围不同。所谓直接测量法,就是直接从屏幕上量出被测电压波形的高度,然后换算成电压值。
3、示波器本身是只能测电压的,测电流的话需要电流探头,电流探头本质也是把电流信号转换成电压信号再给示波器。关于答主的测法可能是想通过欧姆定律,但其实测出来的还是电压波形呀。
4、示波器本身是只能测电压的,测电流的话需要电流探头,电流探头本质也是把电流信号转换成电压信号再给示波器。示波器的探头(也叫探棒)一般分为三类:1)普通的探头,测电压讯号,通道之间共地,测量高压的时候要小心。
直流电机H桥驱动时,测直流电机两端的电压。此电压与电源电压相比,不应该降低太多。直流电机H桥驱动时,测直流电机通过的电流。与直接接电源相比,也不应该降低太多。直流电机H桥驱动时,测三极管或场效应管的工作温度。
问题补充:用mos管搭建的H桥驱动电机,用PWM控制电机的速度,如何测量电机无论步进电机、还是普通电机测试电流是看平均值电流和电机工作的峰值电流。
通过H桥的电流主要有两个量,一个是方向一个是大小。方向的话就是如果Q3和Q5打开,那么电流是由上到下,如果另外两个管子打开的话那么电流就是由下到上。
H桥驱动电机,一般都是驱动直流电机,小功率的,电流范围不是很大。要想电机能转动并且能调节方向,采用H桥是比较理想的电子换向驱动。
H桥高边驱动MOS管(上面两个)应该要用P-MOS;分左右两边半桥,单边半桥共用同一个控制信号,则同一时间只会有一个(上或下)MOS管导通。
第一步:将万用表置于二极管档测量,用红表笔接控制器负极,黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线,读数约在500左右(数字万用表),三次读数应基本一致。
如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。(整体如图)根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。
把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
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