mos管的尖峰电压（mos管关断时有很高的尖峰电压）

发布时间：2023-05-31

阅读量：56

本文目录一览：

在MOSFET的漏极和源极上并联一个电容(无电阻，仅电容)，调整电容值，直到尖峰谐振频率降低到原来的二分之一。

尖峰电压，是单位电荷在静电场中由于电势不同所造成的。电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。

有尖峰有可能是吸收电路中C偏小了。RCD电路参数设计网上都有，根据需要自己看吧。还有一个问题，开关频率越高，尖刺也就会越高，如果没有硬性要求，可以把开关频率降一降。

电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。

场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

一般是以200V 为分界点。低压MOS 一般用于消费类电子，以单节2V电池的保护板会用到低压线路，现在汽车充电线路板上面也会用到40-120V的MOS，封装一般已贴片为主，用量蛮大。

降低成本。在高压mos漂移区的介绍中可以了解道，该区是用以解决现有技术存在的工艺成本高的技术问题，以降低工艺成本的。高压指较高的电压。

1、MOS是开关管，也有反向峯达的，开关虽然关了他有些保留微弱的态机的，而小电流，变压器也是一个大电感应的。

2、尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。尖峰电压属于浪涌电压里的一种，持续时间极短但数值很高。

3、电工学中有一个基本常识。电感中的电流不能突变。电感中的电流突变就会在电感两端产生高电势以抵抗电流的变化（电流突变意味着磁路中磁场的快速变化，所以就会线较中产生感应电势）变压器也一样。

4、当主管关断后，这部分能量会与主管的输出电容形成谐振，在输入电压叠加了反射电压后，再谐振出一个尖峰。

1、mos管尖峰计算公式为67nC/0.4us=0.1675A。根据查询相关公开资料显示：mos管尖峰计算公式为67nC/0.4us=0.1675A。

2、第一种：可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton 其中：Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。Tr：上升时间。

3、Ron=1/[β(Vgs-VT)]。mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

4、mos管vds电压计算方法：根据P=I*I*R，得出I=3A。所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。

5、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。

mos管的尖峰电压（mos管关断时有很高的尖峰电压）