双mos管背靠背（双mos管电路）

发布时间：2023-06-01

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双极型晶体管与单极型晶体管（MOS管是其中一种）放大器的输入电阻差别很大，后者比前者要高好几个数量级。前者在放大时需要比较大的偏置电流，而后者对偏置电流的要求较低。

采用功率MOSFET场效应作为开关电源中的功率开关，在启动或稳态工作条件下，功率MOSFET场效应管的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多。

双极型晶体管即BJT.因为器件的速度主要决定于对电容的充放电时间常数，这与电容本身的大小有关，也与电流的大小有关。一般，BJT的电流较大于MOSFET，所以BJT的速度高于MOSFET。

MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

源极、栅极、漏极的定义如下：源极（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。

或电源)、衬底→高电平(或电源)。MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。

关系是S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。MOS管是指场效应晶体管，有G(gate栅极)/D(drain漏极)/S(source源极)三个端口，分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)两种。

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。

双mos管背靠背（双mos管电路）

1、所以N型s极经常接地，g极常有弱下拉。同理P型管要让它饱和导通或深度截止，S-G的压差也要维持在特定范围。开关电源的控制芯片除了产生带死区推挽式脉冲外，就是让所产脉冲符合上述要求的电压。

2、开关特性。MOS管是压控器件，作为开关时，NMOS只要满足VgsVgs(th)即可导通，PMOS只要满足Vgs。开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，导通电阻都很小。

3、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。