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1、二极管按用途分可以分为普通二极管和特殊二极管。普通二极管包括检波二极管、整流二极管、开关二极管和稳压二极管；特殊工极管包括变容二极管、光电二极管和发光二极管。
2、平面型二极管 平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小，用于大功率整流时PN结面积较大。稳压管 稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压的作用。
3、二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
4、第一种是玻璃外壳二极管；第二种是金属外壳二极管；第三种是塑料外壳二极管；第四种是环氧树脂外壳二极管。
5、变容二极管、频率倍增用二极管、PIN型二极管、雪崩二极管、江崎二极管、快速关断二极管、阻尼二极管、瞬变电压抑制二极管、双基极二极管等。除了根据用途分类还有根据构造分类，这些有点接触型、面接触型等；还可以根据特性分类。
mos的g极串联一个电容可以导通吗MOS管接入电路，也会有引线产生的寄生电感的存在，与寄生电容一起，形成LC振荡电路。对于开关方波波形，是有很多频率成分存在的，那么很可能与谐振频率相同或者相近，形成串联谐振电路。
要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。
当G加上电压后就会给这个电容充电，当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能马上放掉的，实际上G极的电压仍然存在一段时间，所以不会马上截止。
上管的浮动驱动高压必须低于下管的VDS耐压值，否则下管电应力会超标。虽然原理上讲可以使用更多的mosfet串接起来达到更高的工作电压，但实际产品通常只有两只串联的。
PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。
mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。
1、mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。
2、并联测量和串联测量得到的CV曲线不同，主要是因为两种测量方式下mos电容的等效电路模型不同。在并联测量时，mos电容被连接在与信号源并联的电路中。
3、串联和并联的区别 连接方式不同。串联指的是将电路元件（如电阻、电容、用电器等）逐个顺次首尾相连接。串联电路中通过各用电器的电流都相等。
4、二者的含义不同，串联是连接电路元件的基本方式之一，意思是将电路元件（如电阻、电容、电感，用电器等）逐个顺次首尾相连接，将各用电器串联起来组成的电路叫串联电路。
5、最直观的区别是这两种连接方式的电池所表现的不同特点，四节电池串联起来有6V，而并联则仍然只有5V。串联电路：把元件逐个顺次连接起来组成的电路。如图，特点是：流过一个元件的电流同时也流过另一个。
6、串联和并联的区别 组成方式不同 串联：串联是把元件逐个顺次连接起来组成。并联：并联是把元件并列地连接起来组成。
串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。根据电流相等的条件列出两个电流表达式，然后根据化简结果可以得到等效宽长比为W/2L。
一般来说，nmos管的宽长比为pmos的1/3。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
关键词：寄生电容 二极管种类 双基极二极管 基极二极管 mos管 平面型二极管 雪崩二极管 硅二极管 光电二极管 特殊二极管 发光二极管 电容的电 电容 普通二极管 稳压二极管 瞬变电压抑制二极管 江崎二极管 检波二极管 整流二极管 抑制二极管
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