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1、这样才能导通工作；第二个问题：关于UBE是否可以超过导通电压。答案是完全可以超过导通电压。原因如下：单纯的PN结的结电流是和PN结两端电压有关系的其关系为IF = IS0·{exp [q·VF / (k·T)]- 1}。
2、所以，晶体管在正常情况下Ube不会超过导通电压，如果超过了（比如0.8V甚至更高）则表示管子坏了，当然就不能工作了。
3、发射结正偏、集电结反偏是三极管工作在放大状态的条件，发射结的特性曲线类似于PN结的正向特性曲线，发射结电压Ube并不是固定值。但为了简化放大电路的分析，将硅管的Ube取为固定值0.7V。
4、错。Ube要大于死区电压，基极电流Ib才会产生。Ube小于死区电压三极管处于截止状态。硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。
5、①、向这硅三极管BE极的导通电压在0.6V~0.7V之间即可导通工作，不是说非得大于0.7V才能导通的。
6、两个S8050怎么为不同极性的三极管？2和1之间的电压就是0.3V，Q1截止，Q2也截止，P2的1对地当然有电压。2和1之间的电压就是0.7V，Q1导通。Q2也饱和导通。P2的1端电压为0.5V，P2动作。
，当 VBB＝ 0 时T截止uO＝ 12V 。
三极管处于放大区，ube的电压在0.65v-0.7v之间。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量。
Ube=2-6=-4V 实际电路中，这个电压是不可能的，原因很简单，BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通，故Ube只能是0.7V左右，另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。
例如发射结上电流（不是基极电流）uA级大约是0.4V；数十uA时是0.5V；数百uA时0.6V；mA情况下0.7V；数十mA就有0.8V……。因为小功率三极管大多在mA工作点下应用，所以近似取0.7V而已。
1、而Ube会随着环境温度的变化而变化，平常说的三极管的Ube为0.6~0.7V左右，这是室温在25°C时的测试值。
2、在Ib不变的情况下，Ube会随着环境温度的变化而变化，平常说的硅材料三极管的Ube为0.6~0.7V左右，这是室温在25°C时的测试值。
3、随着温度的升高，三极管的工作效用越高。三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
4、温度升高后半导体三极管的穿透电流Iceo增大，发射结电压Ube减小。
5、虽然三极管具有热敏特性，其Ube会随着PN结温度温度的升高而下降，大约-5~3mV/℃。但是，用三极管的PN结来测温，既不准确、很难标定，线性也不好。
6、那么为什么UBE下降会导致IB下降呢？刚开始我也一知半解想了很久，后来才发现这与三极管的特性相关；根据下图可以看到UBE的下降，使IB同样减小了。刚开始我的理解要列出IB与β之间的关系，但发现这样根本不能符合实际结果。
Ube是BE极间电压、Ubc是BC极间电压，Uceo是CE极间饱和电压，不用算，由器件DATASHEET给出，是本身的特性。
U是电压，CE表示这是C与E间的电压。同理，UBE就是B与E之间的电压。C是集电极，E是发射极，B是基极。楼主要是三极管的引脚缩写都不认识的话，还是先补习一下基础知识再说吧。
UBE和UCE表示的是电压，电压就是电位差，所以B、E、C都表示电位，UCE就是C点电位与E的电位之差。
基本要求是发射极正向偏置，集电极反向偏置，且UCE≥UBE。 对于硅管来说UBE约为0.7伏。选取好合适的偏流电阻之后测得的UBE 就是偏置电压。所以对于工作在放大状态的电路，只要知道UBE就知道了偏置电压。
Ube表示基极发射极之间的电压，UbeQ其实和Ube的含义一样，不同之处在于UbeQ是饱和的基极发射极电压，一般为0.7v。
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