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MOS管的二极管的压降（二极管的压降什么意思）

发布时间：2023-05-13
阅读量：350

本文目录一览：

MOS管的压降是指什么？2N60跟4N60相比哪个的压降大？

MOS的压降是指MOSFET饱和导烂宴返通的时候，饥饥VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计祥银算出来压降是多少了，一般在相同电流下，额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。

二极管的管压降硅管不是才0.7伏吗？为什么用作整流桥时，我们测到的二极管俩边却有一百多伏呢？

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。 同步整流管导通时的的管压降至旁没让少要比二极管的压降察核低，这样才能体现同步整流的优势，I同步整流一般用在低压大电流的情况下。比如输出电压只有3V，这时即使用肖特基只有0.3V的管压降那整流效率也只有90％。而MOS管导通时呈电阻态，管压降可以很低达到几十毫伏甚至几毫伏，这时的整流效率就很高了。常见的小功率MOS同步整流管： 耐压30V 5A 200KH Z: IRFB3206 IXTP240N055T IRF2804 IRF3077等。普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千运局赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。

ASEMI场效应管7N60的压降是多少？

7N60参数描述

型号：7N60

封装：TO-220

特性：低功耗场效应管

电性参数：7A 600V

连续二极管正向电流(IS)：7A

脉冲坦喊如二极管正向电流(ISM)：28A

漏源电压(VDSS)：600V

栅源电压(VGS)：±30V

导通电阻(RDS(on))：1.2Ω

源-漏二极管压降(VSD)：1.5V

漏源击穿电流(IDSS)：1uA

反向让启恢复时间(trr)：648NS

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

7N60插件封装系列。它的本体长度为16.0mm，加引脚长度为29.5mm，宽度为10.35mm，高度为4.55mm，脚间距为2.54mm。7N60有低栅极电荷、快速切换、渗则100%雪崩测试，改进的dv/dt功能等特性。

mosfet一般测试好坏时，用什么办法？我们一般就测ds间的二极管的压降正常不，这种方法对吗？？

那样是相当丛掘的不科学的，因为你量的是MOS管内部的反向保护二极管而已，根本谈不上测试MOS管，一般的增强型MOS的测量方法是用万用表，测试时选择欧姆R×10K档，红笔是负电位，黑笔是正电位。

MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。其步骤如下：

1、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大戚核。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。

2、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和源极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极渗仔核导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。

3、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大，则MOS管漏电，不变则完好。

4、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，如果指针立即返回无穷大，则MOS完好

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