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1、缺少保护电路。一般来说电路中应适当设置保护电路,以吸收电路中的瞬间高压、浪涌电压,保护关键元件。参数选取不合理,没有余地。效应管的耐压、电流都应该流有一定的余地,以保证正常使用。
2、电源的话开机烧MOS管有很多原因:开机瞬间Vds太高超过管子耐压导致击穿;驱动能力不足,导致管子没有完全导通,导通电阻太大热死;如果是桥式拓扑,有可能驱动的死去时间不够,导致上下管直通短路烧死。
3、根据你的描述几个原因:MOS管质量不好,就是你电源的死区设置过小,你选择的管子余量不足,管子安装工艺有问题,主要是散热不好。有些电路MOS管栅极需要放电电路,是否具有。你查查看。
4、他的栅极是从氧化膜引出的,栅极与源极、漏极是绝缘的,MOS场效应管的栅极与衬底之间隔着一层氧化膜,如同电容器结构一样,但栅极与衬底之间的电压超过一定限度时,就会引起氧化膜的击穿,导致UPS电源MOS场效应管烧毁。
5、首先看负载是不是有短路的,没有的话就拆掉上管,然后检查对应的电源芯片是不是正常,还有上管的G级最好示波器看看等。烧管一般多是控制级有问题或者你换的管不对 或者负载有短路等。
6、这部份是通过两个mos管的交替通断把+12V的电转成PWM波。根据你强制上电会烧mos可以断定的是你的CPU吃VORE那部份有地方短路了,导致mos管通过的电流过大。
1、mAh是容量,mA是电流;图上似乎是电池保护板电路;充电的时候,电极接反了,可能烧毁MOS管。主要是接反后充电器电压和电池电压叠加而且相当于(P+,P-)输出短路,很快烧毁。
2、锂电池保护板测试时MOS管裂开不会烧毁,可能是因为过充或是温度过高导致的,需要重新焊接MOS管。锂电池保护板测试关系着保护板的性能和电池的使用安全,是很重要的一个环节。
3、电烙铁总烧mos管,一是管子功率选择偏小了,一是管子散热可能有问题,加大散热片试试。当然管子阴极接的电阻变值,也会造成通过的电流大而损坏管子。
4、这肯定是电路有短路故障,看看电路板的焊接情况,或者元件安装是否正确。或者是外加电源超出了电路承受能力了。
1、,也可能元件松动,造成控制失常而出现短路性问题,整流电路有短路,大电容坏及充电器输出功率小 ,因此就烧完了MOS及限流电阻,如限流电阻冒烟造成埸效应管击穿了 。4,还有一种可能负载正负极接反同样烧充电器.。
2、假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。
3、mos管栅极电压足够,当然会以比较大的电流给寄生电容充电,但是如果这个电流小了开关速度慢是不会烧管子的。倒是在实践中,虽然mos管是电压控制器件,为保护mos管,也经常在g端串联几十到几百欧姆电阻。
4、烧管子?说明你直流偏置存在严重问题,场效应管处于导通状态,所以一上电就烧管子。
5、超频后输出电流变大,导致电源本身功耗变大,反应为电源温度升高,降低电源输出稳定性,导致超频失败,甚至损坏电源。四相电源采用多达8颗晶体管,以2颗一组为单位对供往CPU的电流进行分流,同时还降低了各晶体管控制电流的时间。
6、手机充接口坏了致使手机主板烧坏。使用习惯不良引起的,比如经常长时间连接充电器玩手机引起过热烧坏。电池不良发热导致手机主板损坏。
再简单一点,就是考虑更好的散热吧。功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗。要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗。
电源的话开机烧MOS管有很多原因:开机瞬间Vds太高超过管子耐压导致击穿;驱动能力不足,导致管子没有完全导通,导通电阻太大热死;如果是桥式拓扑,有可能驱动的死去时间不够,导致上下管直通短路烧死。
没有图?MOS管是很娇气的,静电损坏是常事,注意开发设计环生产境的防静电1。
要看看是击穿还是过流烧焦,比较难确认,还有可能是触发电路误动作(我还试过是没有考虑单片机上电时输出状态不确定的误触发)。击穿马上发生过流。
1、MOS管击穿之后会有什么现象:如果没有限流措施,击穿后管子将烧毁,甚至会砰一声炸裂。
2、mos管驱动电阻烧了,说明这个管子已经击穿损坏了(管子正常的话这个驱动电阻是不可能烧的,mos管是电压驱动型器件),再通电的话就可能会炸。
3、短路:电源无输出,保险可能烧断,或相关元件烧断,可能有糊味。
4、MOS管烧坏的话,S、D两极电阻很小或没有电阻。
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