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mos管的vdss(mos管的vds电压多大合适)

发布时间:2023-05-13
阅读量:140

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mosfet的Vds的压差怎么理解?从漏极到源极的压降是多少

MOSFET的VDS-sat 一般0.2-4V。迟裂灶(码扮同样的管子ID电流越大VDSsat越大,同样的管子驱动电压越高VDSsat越小源答)

MOS管的VDS是不是D极输入的电压值?与输入电压有关?

场效应管DS可以看成一个开关,GS就是控制DS导通与知孙关闭的,你的电路中GS端需要一个泄放电阻,D与电源间樱宴需要加一个负载电阻脊猛银。

温度越高,mos管Vds变高吗

在保证Vgs和Ids不变的情况下,温度升高会引起Vds变凳毁大。这是因为温度升高导致晶格振动枣者备加剧,载流子迁移率下降,想要获得同样大的电流必须增大Vds。这忽略了Vth随温度升高而减小的量和载流子数量的增加嫌含。

MOS管有两个参数BVdss和Vds这两个参数的区别?使用时如何注意这两个参数?

BVdss是源漏

击穿电压

,使用的时候注意不要超过这个

电压

。在选购的时候需要注意的是友旅烂,通常BVdss越大,

沟道

电阻

也大,好漏所以不要选远远超过你要求的,不然你镇手的

功耗

会浪费掉。Vds就是普通的源漏电压,通常用画在Ids-Vds图上。

为什么MOS管VDS和输入脉冲VGS波形是相反的?

就N沟道型早咐袭的场效应管来说明,S极是输入和输出的公共端

G极为低电平时场效应管陆兄的D极和S极是不导通的,电源电压通过负载把电源电压加在D极上

G极为高电平时场效应管的D极和S极是导通的,电源电压加简谈到负载上,这时D极上的电压很低绝大部分电源电压都加到负载上

所以:MOS管VDS和输入脉冲VGS波形是相反的

关键词:电阻 负载电阻 mos管

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