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)光子型探测器光子型探测器( photon detector) 利用外光电效应或内光电效应制成的辐射探测器,也称光电型探测器。探测器中的电子直接吸收光子的能量,使运动状态发生变化而产生电信号,常用于探测红外辐射和可见光。
光电传感器是一种设备,通过使用一个光学发射器(通常是一个红外发射器)和光电子接收器检测一个物体的距离和存在。光电传感器广泛应用于工业制造。
光电传感器常见有几种分类:⑴槽型 把一个光发射器和一个接收器面对面地装在一个槽的两侧的是槽形光电。发光器能发出红外光或可见光,在无阻情况下光接收器能收到光。
光检测器包括:光电倍增管、热电探测器、光电二极管常见的半导体光检测器包括:PN光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)。
光电探测设备主要由红外警戒探测设备、光电跟踪设备(含红外热像跟踪设备、电视跟踪设备、激光测距设备)组成。常规大、中型水面舰船通常配置一部红外警 戒探测设备和多部光电跟踪设备。
1、高中我们学习的那个光电效应是外光电效应。光电导效应就是电导随光照而变化。
2、光电子发射:现在常用的半导体发光材料基本上都可以属于这一类,常见的元器件有LED(发光二极管)。光电导效应:光敏电阻。
3、外光电效应的电子元件有哪些,外光电效应的电子元件有光电管、光电倍增管。
4、(1)在光线作用下能使电子逸出物质表面的称为外光电效应,属于外光电效应的转换元件有光电管、光电倍增管等。
5、光电效应分为:外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子(自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。
在光线作用下使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。
. 作 的关系曲线,用一元线形回归法计算光电管阴极材料的红限频率、逸出功及h值,并与公认值比较。
光电特性 光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时,光电流IL与光照度之间的关系。下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好,且在弱光时光电流增加较慢。
饱和光电流与入射光强的关系是:当入射光频率不变时,饱和光电流的值与入射光强度成正比。原因很简单,入射光强度与单位时间照射到金属上的光子数成正比。
它首先将测量到的变化转化为光信号的变化,然后进一步借助光电元件将光信号转化为电信号。光电传感器一般由光源、光路和光电元件组成。光电传感器的原理是通过将光强的变化转化为电信号的变化来实现控制。
内光电效应的代表器件有光电二极管、光电三极管、光电晶体管等。光电二极管。光电二极管(Photodiode)是一种利用内光电效应原理制成的器件,是一种半导体二极管结构,它能够将光信号转换为电信号。
外光电效应中最常用的就是PMT,光电倍增管,主要用于探测弱光,如荧光分析。内光电效应中常用的器件有Photodiode,简称PD,一般叫光电二极管,还有比较常见的器件有APD。
光生伏特效应在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。 基于该效应的 器件有光电池和光敏二极管、三极管。
。光电导效应对应的器件是光电导探测器,包括异质结靶光电导摄像管、视像管、硅靶摄像管等;2。光生伏特效应对应的器件主要是光伏探测器,包括光电池、光电三极管等;3。
但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量,就可以将其激发到导带中,形成载流子,增加导电性。光照就是一种激励方式。光导管(又称光敏电阻)就是利用内光电效应制成的半导体器件。
在光线照射下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。当光线照在物体上,使物体的电导率发生变化或产生光生电动势的现象叫做内光电效应,所以内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。
内光电效应 指在光的照射下,材料的电阻率发生改变的现象。光敏电阻即属此类。光电效应 光照射到某些物质上 , 引起物质的电性质发生变化 , 这类光致电变的现象统称为光电 效应。
PS:是的,所谓外光电效应是指现象发生在物体表面,而内光电效应则是发生在物体内部。光电子发射属于外光电效应,而其他两种则是内光电效应。
关键词:雪崩光电二极管 光电传感器 光电二极管 电阻 传感器 光电三极管 光电器件 二极管的 光纤传感器 电容 半导体分立器件和电源 电源管理IC 电传感器 外光电导效应的光电器件 发光二极管
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