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MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导衡悔体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。
mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。
场效应管
简介
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 -
氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
特点
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路锋拦困的电压放大系数；
场效应管的抗辐射能力强；
由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
作用
场效应管可应用于放大。由银念于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
场效应管可以用作可变电阻。
场效应管可以方便地用作恒流源。
场效应管可以用作电子开关。
MOS管导通的时候，沟道是什么类型的就是什么沟道，比如源漏都是N型的，那么MOS管要导通，沟道必须也是N型的才能把源漏连接起来进行导旦侍电，所以最简单的判断就是看源漏是什么类型掺杂的，就是什么类型的沟道。当然上面说激升的这些是针对你初学半导体器件时候知道器件截面明迟老图时用来判断的，如果是实际的产品的话，就看栅压是加正压MOS管能导通，还是栅压加负压能导通，如果加正压能导通的就是N沟道MOS管，如果加负压能导通的就是P沟道MOS管了
N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面空芹，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值知亏丛，漏级和源级搭樱就可以过电流了。
1.n沟道mos管与p沟帆键道mos管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质慧轿肆不同，因此导致加在各极上的电压前轿极性相反。
应用得最多的是n沟道增强型mos管
2.n沟道增强型mos管的工作原理:
场效应管
的
栅极
相当于
晶体管
的
基极
，源极和漏极分别对应于晶体管的
发射极
和
集电极
。将
万用表
置于R×1k档，用两
表笔
分别测量每两个管脚间的正、
反向
电阻
。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
根据场效应管的
PN结
正、反向电阻值不一样的数核现象，可以判别出
结型场效应管
的三个电极：若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N
沟道
场效应管，且薯迅掘
黑表
笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，
即是
正向电阻
，判定为P沟道场效昌逗应管，黑表笔接的也是栅极。
MOS管的电路符号
1）G、D、S极怎么区分？
G极是比较好区分的，大家一眼就能区分。
不论是P沟道mos管还是N沟道，两根线相交的就是S极前册圆。
不论是P沟道还是N沟道，单独引线的那边就是D极。
2）N、P沟道如何区分？
箭头指向G极的就是N沟道。
箭头背向G极的就是P沟道。
3）寄生二极管方向
N沟道，由S极指向D极。
P沟道，由D极指向姿敏S极。
MOS管导通条件
N沟道：UgUs时导通。（简单认为）Ug=Us时截止。
P沟道：UgUs时导通慧塌。（简单认为）Ug=Us时截止。
注意一点，MOS管做开关器件的时候，输入输出一定不能接反，接反的寄生二极管一直处于导通状态，MOS本身就失去开关的作用了。
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