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这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上,而不应该挂在S极上,也就是说:要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时,gs之间的电路是48V,超过了其最大耐压为20V。
可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
Q5为NMOS管,R12为限流电阻(或是偏置电阻),源漏之间的二极管为保护二极管。 源极接地,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一般为0.7V)时,就可在源漏之间形成导电沟道,产生电流。
R96电阻是下拉电阻,目的是没有信号时,输入端于地连接电压接近零。R95电阻有两个作用,输入来的信号分压, 和输入电流限流。DO输入的高信号有效。
电阻是起限流的作用。二极管是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用,使场效应管能快速截止,减少功耗。
在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。
1、mos管栅极可以串联电阻,主要是防止杂波传入输入端,让开关波形更好看。通常可用100-200欧,具体的阻值要看你前端电路设计。
2、用普通小电阻即可,MOS管栅极电流很小,这个电阻主要跟上升/下降时间有关系,一般选择几十欧姆的电阻即可。
3、.47---1 殴不等,实在看不出的话,也可取0.68殴。
4、PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。
5、过功率的作用,如果是电流型IC还有反馈的作用。IC规格书上一般都有相关的计算公式,这个电阻太大时会使得电源带不起额定负载,太小会时电源失去过流保护作用。
:设计问题,焊机线路板设计不合理,散热能力差。或偷工减料管子数量不够。导致的炸管。2:组装工艺问题,MOS-FET场效应管与铝散热片之间绝缘没做好。或绝缘层质量太差被击穿引起的炸管。3:MOS-FET管质量问题。
根据你的描述几个原因:MOS管质量不好,就是你电源的死区设置过小,你选择的管子余量不足,管子安装工艺有问题,主要是散热不好。有些电路MOS管栅极需要放电电路,是否具有。你查查看。
MOS那边引脚可不是随便测的,万一影响了MOS的正常关断,就有可能导致原边短路。
MOS管驱动直流电机,烧毁mos管,不知道哪里出错 5 如图,我M1-VCC采用+12V,M1-DC用+5V,驱动5V电机,M1-CW,M1-CCW分别接电机两端。
1、R96电阻是下拉电阻,目的是没有信号时,输入端于地连接电压接近零。R95电阻有两个作用,输入来的信号分压, 和输入电流限流。DO输入的高信号有效。
2、为加大输出引脚的驱动能力,有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。在COMS芯片上,为了防止静电造成损坏,不用的管脚不能悬空,一般接上拉电阻产生降低输入阻抗,提供泄荷通路。
3、如果R真的太小,而导致输出电压不够的话,那我们只有通过减小那个1K的上拉电阻来增加驱动能力。
4、需要使用上拉电阻还是下拉电阻,主要取决于电路系统本身的需要,比如,对于高有效的使能控制信号(EN),我们希望电路系统在上电后应处于无效状态,则会使用下拉电阻。
1、MOS管栅极上串个小电阻的主要作用是:改变管子栅极输入控制脉冲的前后沿陡度,以及防止寄生电容和电感形成的振荡,减小输出电压尖峰,从而防止MOS管被烧坏。满意请采纳。
2、MOS管是指场效应管。它采用绝缘栅结构的晶体三极管,输入阻抗高,输出呈电阻态。现在用途广泛,包括电视机高频头到开关电源,现在把场效应管和双极型的普通三极管复合在一起,广泛应用于大功率领域。
3、作用:由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管,而内存插槽则共用了一组MOS管,MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
4、Metal-Oxide-Semiconductor)。它的栅-源间电阻比结型效应管大得多,还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单,而广泛应用于大规模和超大规模集成电路之中。MOS管导电性可控,还有整流作用。
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