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金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。
mosfet是金属-氧化物半导体场效应晶体管。
mosfet意思是金属氧化物半导体场效应晶体管。mosfet是英文MetalOxide SEMIcoductor FiELD Effect Transistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。
是一种半导体器件,广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的放大。由于MOSFET的尺寸非常小,因此MOSFET既可以是核心也可以是集成电路,可以在单个芯片中进行设计和制造。MOSFET器件的引入带来了电子开关领域的变化。
MOSFET多为功率场效应管。是晶体管的一种。
简介 MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
1、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。
2、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
3、MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的,使用电气参数测量方法无法确定,不过可以使用测量导通电阻方法估算,大约是V/导通电阻,V是参考压降,取值0.8-3,高压管取值大些,低压管取值小些。
4、事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。
1、第一:NMOS 价格比PMOS 便宜 第二:和驱动IC的驱动逻辑有关,大部分IC多事设计为驱动NMOS的驱动逻辑 第三:需要保证在电源上电IC还未工作时整个电路处于关闭状态。
2、当然可以,不过用一个,它提供的电流会相对变小,发热量增大。
3、因为二极管的管压降在通入大电流的时候功耗太大,比如二极管压降为0.7v,输出电流为10A的时候,二极管自身损耗高达7W,基本不用考虑。
在电路中一般选择快速恢复二极管或者是肖特基二极管作为续流二极管。特别需要注意的是续流二极管的极性不能接反,否则不仅起不到保护作用,还会形成短路。
续流二极管都是并联在线圈的两端,线圈在通过电流时,会在其两端产 生感应电动势。当电流消失时,其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时,会把原件如三极管,等造成损坏。
续流二极管通常和储能元件一起使用,其作用是防止电路中电压电流的突变,为反向电动势提供耗电通路。
为无功电流返回提供通路、再生发电制动时,再生电流通过其返回直流电路。
是续流二极管。用以在关断场效应管时释放感性电路残余能量,防止场效应管被击穿。
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