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光敏电阻器是一种对光敏感的元件,它的电阻值能随着外界光照强弱变化而变化。光敏电阻器在电路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示。光敏电阻的工作原理:光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。
光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体材料制成的特殊电阻器,其工作原理是基于内光电效应。
光敏电阻特性是:对光线十分敏感。光照愈强,阻值就愈低。随着光照强度的升高,电阻值迅速降低。
光敏电阻的主要参数:(1)光电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下,当有光照射时,流过的电流称为光电流,外加电压与光电流之比称为亮电阻,常用“100LX”表示。(2)暗电流、暗电阻。
光敏电阻5506是光敏电阻的一种型号。光敏电阻5506最大电压150V,最大功耗100mw,光谱峰值540nm。光敏电阻用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器,其工作原理是基于内光电效应。
光伏探测器的光电特性主要与材料、光照范围、负载大小、外加电压这些因素有关。响应速度快:指射入光信号后,马上就有电信号输出;光信号一停,电信号也停止输出,不要延迟。这样才能重现入射信号。
响应率光伏探测器的响应率与器件的工作温度及少数载流子浓度和扩散有关,而与器件的外偏压无关,这是与光电导探测器的不相同的。
光电探测器性能参数主要有:量子效率、响应度、频率响应、噪声和探测度等。 光电探测器的种类有很多,不同的种类原理也不同。 比较常用的是photodiode,光电二极管,主要参数有光敏面面积,极间电容,暗电流,NEP。
有关。在光照度一定时,光电导探测器灵敏度随工作偏置电压的增大而增大;两者是有相互关联的,因此在实际应用中,可以在光电导探测器的最大额定功率内适当提高工作偏置电压,以得到较大的探测灵敏度。
光电导探测器的响应时间受以下因素的限制:探测器的结构和材料,包括探测器的结构、电子和空穴的扩散时间等。这些因素影响了探测器内部载流子的移动速度,从而影响了探测器的响应时间。探测器的光源,包括光源的波长、强度等。
流过负载的总电流是两者之差:(2)反向偏置的光电导工作模式无光照时电阻很大,电流很小;有光照时,电阻变小,电流变大,而且流过它的光电流随照度变化而变化。类似光电导器件。
因此,在光敏二极管的正常工作时,也还需要加上一道反向流通的电压。一般在无光照的时候,我们可以看到会有很小的饱和反向漏电流泄露山来,这也就是我们所说的暗电流,到了此时光敏二极管也就截止了。
当有外加电压时,光子照射到二极管的PN结使得PN结的载流子增多,就相当于PN结的电阻减小了,多以光照越强载流子增多,这个等效的电阻越小,从而电流越大。
般工作在反向击穿状态的稳态,在一定的电流范围内(或者说在一定功率损耗范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性。
光电二极管在反向电压的作用下工作。没有光线时,反向电流极弱,称为暗电流。有光时,反向电流迅速增加到几十微安,称为光电流。光强越大,反向电流越大。
光敏二极管不会形成光电流,它主要是受光照后能够反向导通,电流是需要另外的电源提供的。
光敏二极管在使用中需要外加反向电压。通常直接查看光敏二极管的引脚长短即可区分:引脚长的为正极(P极),引脚短的为负极 (N极)。 对于有色点或管键标识的管子,其靠近标识的一脚为正极,另一脚为负极。
光电传感器常见有几种分类:⑴槽型 把一个光发射器和一个接收器面对面地装在一个槽的两侧的是槽形光电。发光器能发出红外光或可见光,在无阻情况下光接收器能收到光。
光电传感器有如下几种分类:⑴槽型光电传感器 ⑵对射型光电传感器 ⑶反光板型光电开关 ⑷扩散反射型光电开关 具体的产品类型你可以看一下IMS的传感器,这是国内专业生产传感器的厂家,性能比较好。
光电传感器分为光敏电阻传感器和光敏晶体管传感器。光敏电阻是利用半导体的内光电效应制成的电阻值随入射光强弱的变化而变化的传感器。一般用于光的测量、控制和光电转换。
光学传感器主的分类很多,各种传感器都有各自的应用。光学传感器主要有光学图像传感器、透射型光学传感器、光学鼠标传感器、反射型光学传感器等种类。
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