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MOS管是电压驱动部件,用很小的功率就可以驱动,导通时电阻很小,温度特性好,适合做高速开关用,用作线性放大时容易自激。使用频率喊兆较低。静态耗电非常小,败渗世超高集成度的电路察肢如CPU都只能用MOS电路。
三极管是电流驱动部件,需要前极有足够的功率驱动,大多数电路都适用,偏置反馈电路比较简单。小功率超高频微波领域适用。使用历史悠久,运用电路广泛。调试比MOS电路容易。
好像没有问题。
R4通常贴在栅极上安装厅举以防羡伏敬MOS管自激,如果距离较远没兄慎有什么用,可以短路。
考虑三级管。三极管是电流控制型器件。 Mos管是纳凯滚金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应洞余晶体孙没管
MOSFET管是场效应管,特点是电压放大,所以引起自激主要原因在于输入级输入了激励电压。
要提防自激,首先要保证电源电压供电稳定,可以加大哪察滤波电容提高稳定。第二,管子的放大倍数梁缓冲要控制好,太大也橡歼容易引起自激,这个可以加强负反馈。第三,负载电阻不能太小,要在管子的承受范围之内。注意这三点,做功放时就不容易发生自激现象了
我来试试回答你的问题,不保证一定正确,个人理解第一点:一般来说,这种类型的电路,TL494设定频率不超过60K,分到每个管子的频率型伍不超过30K,主电源滤波的电解电容还能应付,如果提高了频率(不提高MOS没有优势),电解电容就应付不来了,必须用CBB电容这类做开关管外的两卜态或臂,而这类电容的容量就有可能成为瓶颈。第二点:大部分半桥都采用自激启动它激工作的方式,用三极管在驱动变压器加入自激启动绕组即可,而TL494驱动MOS管,闭伏在MOS管的驱动极需要加入“灌电流驱动”电路,这样一来就造成需要外加提供TL494使用的供电电源,成本就会升高。其实不是没有,现在做口罩的那种喷熔布超声波焊接机,有一些原理上就是用MOS的半桥开关电源电路,只不过它的负载是超声波换能器。对于MOS管,半桥开关电路没有优势,但是“双管正激”电路却非常合适,换句话说它有更好的替代品
MOS导通以后,当输出电压达到一定值后,或者DS电流达到一定值以后,会使G11导通,从而使G12截止。此时线圈78电势也将反向,加速G12截止,并维持一定截止时间。G12的电荷可贺前做通过C3和G11泄放。1D1可在线圈78电势反向时,限制加到G12栅极悔森的反向电压,也可以限制加到禅衡栅极的正向电压,可使用稳压管,稳压值在18V左右。
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