gan器件电源技术（gan器件工艺）

发布时间：2023-06-02

阅读量：46

本文目录一览：

手机快速充电技术目前分为“高压小电流快充”和“低压大电流快充”两种方案。VOOC闪充和Dash闪充属于后者“低压大电流快速充电”。快速充电对手机电池的寿命没有影响，现在的电池都可以承受大电流。

年9月，努比亚在红魔6S Pro发布会上，曝光了采用第三代氮化镓技术的新品快充，它就是努比亚3C1A氮化镓充电器，相比旧款氮化镓方案拥有更高的频率，体积也更加小巧，并采用全新的凝胶散热技术，让大功率快充低温不烫手。

Anker安克氮化镓GaN2 超能充30W Anker这个品牌就不用我多介绍了吧，在海外市场影响力相当不错，我此前也用过好几款它家的快充以及充电宝，品质以及性能都是很让人放心的。

分钟可以为华为、苹果、小米等手机充入60%的电量。

充电头网了解到，该款120W氮化镓快充由深圳市科讯实业有限公司制造，内部电路由芯仙半导体主导设计，是一款基于全国产器件的高性能方案。

gan器件电源技术（gan器件工艺）

1、相对硅而言，氮化镓拥有更宽的带隙，宽带隙也意味着，氮化镓能比硅承受更高的电压，拥有更好的导电能力。简而言之两种材料在相同体积下，氮化镓比硅的效率高出不少。

2、氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。

3、氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。氮化镓相比传统硅基半导体，有着更加出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。

SiC BJT是有史以来最高效的1200V 功率转换开关，SiC BJT实现了更高的开关频率，其传导和开关损耗较IGBT低(30-50%)，从而能够在相同尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。

SiC电力电子器件主要包括功率整流器(SBD、PiN和JBS等)、单极型功率晶体管(MOSFET、JFET和SIT等)和双极犁载流子功率晶体管(BJT、IGBT和GTO等)。

氮化镓(GaN)功率器件目前主要主要分为Si基和SiC基两种，SiC基的GaN的供应链可靠性并不如LDMOS高，这是因为SiC基的生长良率并不高，此外，SiC基的工艺很难做到6寸晶圆上生长，工艺极其复杂。

与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。随着行业大规模商用，GaN生产成本有望迅速下降，进一步刺激GaN器件渗透，有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。

因此GaN、SiC这两款半导体材料有着Si材料无法企及的优势，所以用这两款半导体材料制造的芯片可以承受更高的电压，输出更高能量密度，更高的工作环境温度。