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mos管gs击穿（mos管gs击穿会导致ds之间短路吗）

发布时间：2023-06-02
阅读量：79

本文目录一览：

mos管gs没电压导通

你在栅极施加的电压只有5V（对于单管而言我认为栅极电压低了，一般应该在12V左右比较好），这个电压下MOS管的夹断电阻依然比较大，所以输出只有8V。

gs导通几种情况有：GS幅值超过平台电压才能导通。MOSFET的GS之间需要电阻在1k~10k，可以防静电导通。GS超过平台电压以后，DS之间无论有没有电路，都是导通的。

S到D，若SG之间电压大于Vgs很多(不是刚刚超过Vgs)，则S到D之间电阻与D到S电阻相同，为相当小的数值，可称为Ron。这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管。

如果电阻很小，就是mos的ds击穿了，换一个mos管试一试，如果是np结电压在0.7v左右，那可能是选了个pmos带反向保护的。

导通时序可分为to~tt1~t t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。 t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th） ，导电沟道没有 形成，MOSFET仍处于关闭状态。

mos管的gs最大反向电压

1、所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～5V。

2、IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。

3、这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的，会击穿。

4、一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。

5、好奇葩的问题！如果源级电压小于漏极电压，那么栅漏电压大于开启电压的同时栅源电压也必然大于开启电压，也就是开启。如果源级电压高于漏极电压，那两者就反过来了，还是开启。

MOS管测量出栅极G和源极S之间不绝缘,有57欧电阻

1、肯定已经击穿了。你那个24V是稳定状态下的数值，开关瞬间完全可以有脉冲尖峰超出它，一般为了安全，G-S之间是要并一个稳压管来限制这些可能的尖峰电压。

2、可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

3、如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。

mos管击穿电流多大

此外，击穿电压高于100V或漏电流小于1nA的pn结(如JFET的栅结)，比类似尺寸的常规pn结对静电放电更加敏感。

漏源电压(Vdss)：30V.驱动电压： 5V ， 10VNTMFS4C029NT1G是MOSFET晶体管， 30V、46A、 单N-通道、 SO-8FL。

你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。

电流瞬间mos管会击穿吗

在MOS管击穿后，MOS管会出现全导通现象，这是因为击穿后，MOS管的输入和输出端之间的电阻值会降低到极小甚至接近于零，从而导致电流大幅增加，使MOS管全导通。

很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。——★请看附图。...图中100K电阻和9V稳压二极管作保护，可以把感应静电限制、消除。因为MOS管属于电压控制器件，100K电阻不影响MOS管的开关状态。

输出电压太高 电流功耗大烧掉了的。3，也可能元件松动，造成控制失常而出现短路性问题，整流电路有短路，大电容坏及充电器输出功率小 ，因此就烧完了MOS及限流电阻，如限流电阻冒烟造成埸效应管击穿了 。

发热应该是主要原因，我每次触及MOS管的时候，都是带着被烫的心里去摸的。

关键词：测电阻 mos管 欧电阻 电阻

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