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增强型:只要超过UGS(th),就会存在反型层,随着UGS增加,反型层加厚。
不一定。看管子的,看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必。
不允许场效应管工作在这个区域,rD-IV恒流区场效应管,在恒流区具有线性放大作用,-2V截止区-41栅极P衬底.缘栅型场效应管的特点是输入电阻高,噪声小。在通常情况下.源极一般都是与衬底相连.即Us=0。
:d是P沟道场效应管,由VOO提供正向偏压,电路所示可能工作在恒流状态。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
1、mos管的线性区就是 可变电阻区,其阻抗与栅压成反比;mos管的饱和区是放大区,其电流电压曲线如三极管的放大区。
2、在放大状态(MOS管工作于恒流区)时,输出特性曲线可近似为与横轴平行的一根直线,因此此时可以用一根转移特性曲线来代替恒流区的所有曲线。但在可变电阻区时,对于不同的UDS,转移特性曲线变化很大。
3、当uGs一定时,ip与uDs成线性关系,该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。
4、. 功率MOS管的工作状态 电子负载是利MOS的线性区,当作可变电阻来用的,把电消耗掉。
5、在数字电路中工作在导通区或截止区,在模拟电路中三种状态都可能出现:导通区、放大区、截止区。
6、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容)。
:a是N沟道场效应管,由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压,可能工作在恒流状态。2:b,c是N沟道增强型MOS管,GS要加上正向偏压才能工作,图中所示不可能工作在恒流状态。
场效应管用于放大电路时,一般就工作在该区域,所以也称为放大区。
结型场效应管需要加反向电压使两边的pn结的耗尽层变宽从而改变导电沟道的宽度使其介于预夹断与夹断之间的区域,即恒流区。
1、太难懂了,可能是印刷错了。应该是麻痹,出错。
2、而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。请看下图。1)可变电阻区(也称非饱和区)满足Ucs》Ucs(th)(开启电压),uDs《UGs-Ucs(th),为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。
3、应为:uGDUGS(th)。这就是说,G、D间沟道被夹断,即“预夹断”。
4、N道的MOS管箭头是向内侧指向,P道的箭头是向外侧指向的。导通条件都是靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N道G极电压为+极性。对P道的G极电压为-极性。
干吗这么关注这些名词呢?Vgs和Id有一定的曲线关系,当MOS管可以驱动的电流大于负载需要的电流,电流不再增加,就是饱和了。就好比三极管的Ic和Ibe有比例关系。
可以。如果要工作在开关状态,就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。
MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容)。
MOS管作为开关使用时,主要是工作在饱和区及截止区。若做放大用,主要是工作在线性区。
数电中,MOS管相当于开关,工作于可变电阻区或截止区:其工作于可变电阻区时,相当于开关闭合,其工作于截止区时,相当于开关断开。
1、太难懂了,可能是印刷错了。应该是麻痹,出错。
2、条件:施加固定的栅源电压,漏源电流就是固定的,就是恒流源。场效应管的简单那介绍:场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
3、干吗这么关注这些名词呢?Vgs和Id有一定的曲线关系,当MOS管可以驱动的电流大于负载需要的电流,电流不再增加,就是饱和了。就好比三极管的Ic和Ibe有比例关系。
关键词:三极管的放大 mos管 可变电阻 电阻 n沟道增强型mos管 三极管的饱和 输入电阻 增强型mos管 mos管的
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