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先任测两个极,若正、反测指针均不动(R1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是TT1或TG极(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。
用万用表即可判断双向可控硅的好坏,但具体参数测不出来。
万用表RXI低阻挡,两表笔任意接可控硅两个主电极,再用黑表笔点触一下可控硅触发极再离开,可控硅立即导通(万用表显示电阻减小),移开触发极,可控硅仍然保持导通不变(万用表读数维持没变)。
说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结,有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的,当A、K之间已呈故障开路状态时,则无法测出好坏。
1、如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。
2、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(r×1挡),可能是a、k或g、a极(对单向可控硅)也可能是tt1或tg极(对双向可控硅)。
3、说明可控硅的g、k并不像一般三极管的发射结,有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的,当a、k之间已呈故障开路状态时,则无法测出好坏。有的g、k间电阻值极小,也难以判别两控制极是否已经短路。
4、单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。
单向可控硅的检测:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
测量可控硅好坏的方法如下:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
用万用表即可判断双向可控硅的好坏,但具体参数测不出来。
如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。 双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。否则说明该器件已损坏。
可控硅检测法 用万用表即可判断双向可控硅的好坏,但具体参数测不出来。用万用表测量的方法如下。
1、测量可控硅好坏的方法如下:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
2、对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。否则说明该器件已损坏。
3、判断可控硅的好与坏最简单的方法:用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
4、这种测量方式是有局限性的,当A、K之间已呈故障开路状态时,则无法测出好坏。
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