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1、为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
2、电阻和电容串联后与可控硅模块的并联，电阻和电容的作用就是为了抗干扰，对保护可控硅是没有作用的。
3、R18，R33 跟IC5组成可控硅触发电路，两个电阻起限流作用，保护光耦及可控硅。R2C7组成阻容吸收回路，可吸收瞬间的高电压，起到保护作用。你电路图画对了吗？一般不用直流光耦驱动的，都用交流输出的光耦驱动的。
4、简单概括：电阻：限流作用，类似于接在两根大直径管子之间的小直径管子限制水流量的作用，也能保护电路。电容：电容器是一种能够储藏电荷。
5、不同的电路板上有不同的作用。即使是相同的电容电阻在不同的电源也有不同的作用。这些都是需要你循序渐进的学习，不能一蹴而就的。即使要问具体也需要你上传具体电路才好展开。否则就太笼统 是不好回答电容电阻的作用。
阻容吸收电路，作用是减小可控硅两端电压的变化率，防止误导通。可控硅从断开转换导通的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt。如果可控硅两端电压的变化率太大，就会产生误导通。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
R18，R33 跟IC5组成可控硅触发电路，两个电阻起限流作用，保护光耦及可控硅。R2C7组成阻容吸收回路，可吸收瞬间的高电压，起到保护作用。你电路图画对了吗？一般不用直流光耦驱动的，都用交流输出的光耦驱动的。
双向晶闸管并联此电容和电阻用在这里，目的是抑制或者说降低晶闸管两端的电压上升率。阻容，它可有效抑制上电和断开时瞬间振荡和峰流电流，使过电压的波形变缓，陡度和幅值降低，再加上电阻的阻尼作用，使高频振荡迅速衰减。
1、电阻选择几十到几百欧的都可以，电容选择几KP的。最好用示波器对比下可控硅两端的波形，在进行参数微调。
2、一般R=10欧 10W，C= 0.1uF/400VAC或更高。
3、看起来你比较专业啊！可控硅发热大可以给它加散热片，通常它的表面温度达110度也可以长时间工作。
4、双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。单向可控硅和双向可控硅，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。
5、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
6、附图是MOC3061应用实例，用来对照。R49是可控硅控制极的限流电阻。R48用来防止可控硅误触发。R47和C41组成RC吸收回路，不让瞬间过压造成可控硅误导通或损坏。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态，这就是晶闸管的闸流特性，即可控特性。
所串联的电阻肯定不能低于该电路所带负载在最大功耗时所需要的电压值，这就是串联电阻值的上限。在不超过这个上限的情况下，电阻值取得较小则“浪费”的电能比较小。
如果晶体管的静太电流确定了，就必须控制晶体管的Uce大校这就要选择适当的集电极电阻和发射极电阻进行分压。比如上图中的T1静太电流大约是2毫安，则晶体管Uce＝12－2×1＝8V，静态功率就是5毫瓦。
如果电容被击穿造成电容短路，回路会瞬间电流加大，烧坏电路。
阻容吸收电路，作用是减小可控硅两端电压的变化率，防止误导通。可控硅从断开转换导通的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt。如果可控硅两端电压的变化率太大，就会产生误导通。
关键在于电容上存在寄生电感，电容放电回路会在某个频点上发生谐振。在谐振点，电容的阻抗小。因此放电回路的阻抗最小，补充能量的效果也最好。同样容量的电容，并联越多的小电容越好。
可控硅不加阻容吸收可能会导致可控硅无法正常工作、电压出现异常。阻容吸收是用于吸收和消耗电路断开时感性负载产生的自感电动势，可防止过电压造成的负载绝缘击穿。可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。
因为电路总是存在电感的变压器漏感或负载电感，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅。
阻容保护电路出现短路？阻容保护电路出现短路的原因一般是电容的耐压太低了。别以为220V的回路，电容电压高于220V即可。一是变压器属于感性负荷，可控硅通、断时，回路自感电压很高，电容器需要很高的电压。
1、推荐你选择39Ω/10W电阻和0.1μf/630V电容。具体RC参数选择，与你的可控硅特性参数及回路要求的关断过冲都有关系。但是一般会有一个大致的范围，来满足要求，确保可控硅不会损坏。
2、电阻选择几十到几百欧的都可以，电容选择几KP的。最好用示波器对比下可控硅两端的波形，在进行参数微调。
3、单向可控硅和双向可控硅，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。
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