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1、mos管坏了不可以直接短接,通过MOS管实现一定功能,比如稳压,通断功能,如果短接电源直接跨过MOS管,所有功能失效,会损坏设备。mos管是由输出信号控制的开关管,启动稳压的作用,如果短接就没有反馈控制导致电路烧毁。
2、场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。
3、呵呵,其实楼主看看MOS的结构图就清楚了,比如对于NMOS来说,是做在P型衬底上的,它的D和S都是N型的,中间的沟道就是P型的,这就形成了NPN结构。在CMOS电路中,有个很重要的闩锁效应就是这个寄生NPN三极管的导通。
4、控制漏极源极之间导通沟道的夹断和导通电阻。
5、以NMOS三极管为例,把源极S和衬底接地,在栅源间加上正电压Vgs,即在栅极和衬底之间形成的电容上加上正电压,则衬底表面将感应出负电荷来。
6、只是电容的作用),所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
1、模拟电路书里讲得就是小功率 MOS 管的结构,所以没 有这个二极管。但 D 极和衬底之间都存在寄生二极管,如果是单个晶体管,衬底当然接 S 极,因此自然在 DS 之间有二极管。
2、二极管不是线性的元件,如果加的正向电压低于“死区电压”则不导通,当超过这个电压时,它就导通,相当于开关的闭合,但有个压降;这个压降的数值硅管为0.6~0.7,锗管为0.2~0.3V也就是死区的电压值。
3、二极管都有最低导通电压,当电压低于这个电压也是无法导通的,同样,二极管反向也存在最高耐电,当反向电压大于这个值就击穿导通了。
4、你G开路了?G对地短路、开关断开,G开路(正确应接高电平),开关闭合。
1、只要加适当的电压,将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管,在GS两个脚加正电压,这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通,电流也可以从S到D流过,因为管内有二极管。(MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。
2、二极管就是二极管,非常多,为什么要用MOS管实现呢?要是用三极管,还可以当二极管用。用C-B两个脚,就是二极管。
3、什么是PN结?PN结的正接与反接?P(+)接正极,N(-)接负极为正接,反之为反接。扩散电流才是主流;漂移电流即为反向电流,随温度变化而急剧变化。二极管和PN结关系?二极管由PN结加上引线和管壳组成。
4、MOS管也是二极管做成的,跟三极管一样有PNP和NPN结构。几乎所以的半导体元件都是二极管做成的,确切的说是PN节做成的。
5、漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。
1、MOS管截止时,电流会从体二极管流过,但是这个电流的值已经非常小了,可以忽略不计。体二极管,又叫寄生二极管,它是由生产工艺造成的,大功率 MOS 管漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。
2、MOS管导通后,反向时主要是流过沟道,因为体二极管本身有比较大的二极管压降,约为0.7V,沟道相当于把体二极管给短路了。
3、这主看你这漏电流的大小标准了,标准不同时就可有或没有。因它多多少少都有一点。前一个比成开关是理想化的,后一个有是实际中的。
4、事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。
5、可以,只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可,是MOSFET导通,不通过体二极管,同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。
6、一部分电流从上往下流经二极管 ,一部分电流流入右边负载(本图没有这部分)。当输入电压小于3V时,二极管截止,其中没有电流, 右边输出电流与负载有关(本图没有,只看本电路,右边开路,没有电流流过。
关键词:寄生二极管 电容的 二极管1 电容的电 电阻 二极管作用 mos管的体二极管 二极管反向 导通电阻 电容 n-mos管 mos管
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