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mos管的体二极管（mos管的体二极管作用）

发布时间：2023-06-03
阅读量：54

本文目录一览：

mos管栅源短接相当于什么

1、mos管坏了不可以直接短接，通过MOS管实现一定功能，比如稳压，通断功能，如果短接电源直接跨过MOS管，所有功能失效，会损坏设备。mos管是由输出信号控制的开关管，启动稳压的作用，如果短接就没有反馈控制导致电路烧毁。

2、场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

3、呵呵，其实楼主看看MOS的结构图就清楚了，比如对于NMOS来说，是做在P型衬底上的，它的D和S都是N型的，中间的沟道就是P型的，这就形成了NPN结构。在CMOS电路中，有个很重要的闩锁效应就是这个寄生NPN三极管的导通。

4、控制漏极源极之间导通沟道的夹断和导通电阻。

5、以NMOS三极管为例，把源极S和衬底接地，在栅源间加上正电压Vgs，即在栅极和衬底之间形成的电容上加上正电压，则衬底表面将感应出负电荷来。

6、只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

n-mos管截止如果在s-d之间加上正向电压,体二极管会不会导通?

1、模拟电路书里讲得就是小功率 MOS 管的结构，所以没 有这个二极管。但 D 极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接 S 极，因此自然在 DS 之间有二极管。

2、二极管不是线性的元件，如果加的正向电压低于“死区电压”则不导通，当超过这个电压时，它就导通，相当于开关的闭合，但有个压降；这个压降的数值硅管为0．6～0．7，锗管为0．2～0．3V也就是死区的电压值。

3、二极管都有最低导通电压，当电压低于这个电压也是无法导通的，同样，二极管反向也存在最高耐电，当反向电压大于这个值就击穿导通了。

4、你G开路了？G对地短路、开关断开，G开路(正确应接高电平)，开关闭合。

mos如何管构成二极管

1、只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管，在GS两个脚加正电压，这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通，电流也可以从S到D流过，因为管内有二极管。（MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。

2、二极管就是二极管，非常多，为什么要用MOS管实现呢？要是用三极管，还可以当二极管用。用C-B两个脚，就是二极管。

3、什么是PN结？PN结的正接与反接？P（+）接正极，N（-）接负极为正接，反之为反接。扩散电流才是主流；漂移电流即为反向电流，随温度变化而急剧变化。二极管和PN结关系？二极管由PN结加上引线和管壳组成。

4、MOS管也是二极管做成的，跟三极管一样有PNP和NPN结构。几乎所以的半导体元件都是二极管做成的，确切的说是PN节做成的。

5、漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

请问:MOS管截止时,电流还会不会从体二极管流过?

1、MOS管截止时，电流会从体二极管流过，但是这个电流的值已经非常小了，可以忽略不计。体二极管，又叫寄生二极管，它是由生产工艺造成的，大功率 MOS 管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。

2、MOS管导通后，反向时主要是流过沟道，因为体二极管本身有比较大的二极管压降，约为0.7V，沟道相当于把体二极管给短路了。

3、这主看你这漏电流的大小标准了，标准不同时就可有或没有。因它多多少少都有一点。前一个比成开关是理想化的，后一个有是实际中的。

4、事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。

5、可以，只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可，是MOSFET导通，不通过体二极管，同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。

6、一部分电流从上往下流经二极管 ，一部分电流流入右边负载（本图没有这部分）。当输入电压小于3V时，二极管截止，其中没有电流， 右边输出电流与负载有关（本图没有，只看本电路，右边开路，没有电流流过。

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