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1、由于高压避雷器对地有杂散电容，使得沿避雷器的电压分布不均匀，这样电压高的地方就容易发生损坏，所以加一个避雷器均压环，用来均衡对地杂散电容，使电压分布均匀，不发生局部击穿而损坏。电压等级越高，对地杂散电容越大。
2、避雷器在系统正常运行电压下避雷器电阻片成电容性，避雷器受对地杂散电容影响电位分布不均匀。需在顶部加装均压环，补偿电容，均匀电位。
3、，电容器的耐压性能并不比电网中的其他设备低，因此没有必要为电容器专门安装避雷器。
4、一般只有几十微秒。所以雷电电流的能量不如想象的那么巨大。不过雷电电流的功率很大，对建筑物和其他设备尤其是电器设备的破坏十分巨大，所以需要安装避雷针或避雷器等以在一定程度上保护这些建筑和设备的安全。
5、检测防雷装置的有效性，接闪器、引下线、接地装置等的连通性。接地系统的有效接地电阻，要求≤10Ω。电源防雷系统的对地绝缘阻抗是否在允许值，接地系统是否牢靠，瞬时钳压数值是否有变化等。
6、年瑞士MOscick提出利用高压电容器作防雷元件的方案，通常是与电抗线圈配合使用，构成防雷吸波器。
1、晶体管结电容是指晶体管内部电极之间存在的PN结电容和电极引线间的电容。杂散电容是指构成电路的导线之间﹑元器件之间存在的分布电容。结电容和杂散电容都对器件和电路的工作存在影响，尤其是高频电路，影响更大。
2、三极管有两个PN结，集电极和基极之间的电容就是集电结电容。这个电容是由半导体三极管内部结构所固有的。它的存在，在外电路来看就是跨接在集电极和基极之间。对一个共发射极电路来说，它是接在输入端和输出端之间的。
3、在放大电路中，由于半导体极间电容对于低频信号容抗很大，相当于开路；而当信号频率增加到一定时候时，极间电容将分流，导致信号受损；因而对信号构成了低通电路，所以频率升高时，相当于放大倍数下降。
4、）结面积。2）结厚度。3）结偏压。其中，结偏压直接影响结厚度。所以，结电容的大小，基本上与信号频率高低无关。但是，这仅仅是我的理解而已，不一定正确。
5、用H参数小信号模型分析共射基本放大电路(1)画出小信号等效电路 方法：先画出放大电路的交流通路(电容及电源交流短接)，然后将三极管用小信号模型代替。
1、肯定是并联，杂散电容我不知道具体是啥，但是我想它一定很小，如果你知道杂散电容的值的话你可以先用串联的方式计算出它们俩的电抗值，在用并联的方式计算出它俩的电抗值，之后你一定会发现前者的电抗值远远大于后者。
2、减小杂散电容耦合影响的一种方法是使用法拉弟屏蔽(Faraday shield)，它 是在耦合源与受影响电路之间的一种简捷接地导体。
3、晶体管结电容是指晶体管内部电极之间存在的PN结电容和电极引线间的电容。杂散电容是指构成电路的导线之间﹑元器件之间存在的分布电容。结电容和杂散电容都对器件和电路的工作存在影响，尤其是高频电路，影响更大。
4、杂散电容的存在，会造成避雷器周边的电荷分布不均匀，即避雷器四周各点与避雷器之间的电位差分布不均匀，电压高的地方就容易发生损坏，所以加一个避雷器均压环，这样电压高的地方就容易发生损坏，所以加一个避雷器均压环。
1、冲击电压发生器本体的杂散电容可以影响冲击电压波形。冲击电压发生器是一种高电压模拟信号源，其输出的冲击电压波形可以用于模拟各种高压开关设备和电力系统中的电气冲击。
2、降低输出电压波形的上升时间：杂散电容会与发生器本体中的其他电容、电感等元件形成谐振回路，从而使输出电压波形的上升时间缩短，提高了测量精度。
3、当然还有整流、振荡以及其它的作用。另外电容的结构非常简单，主要由两块正负电极和 夹在中间的绝缘介质组成，所以电容类型主要是由电极和绝缘介质决定的。
4、电容器在电器元件中有什么作用？电容器在电路中起着隔离直流和交流的作用，其具体应用是：电源滤波器：消除高频干扰；充放电时间延迟。等等，几乎所有与滤波和延时相关的功能都使用电容。
5、冲击电压发生器的基本原理是利用多级电容器并联充电、串联放电来产生所需的电压，其波形可由改变Rf和Rt的阻值进行调整，幅值由充电电压V 来调节，极性可通过倒换硅堆D两极来改变。
6、杂散电容的存在，会造成避雷器周边的电荷分布不均匀，即避雷器四周各点与避雷器之间的电位差分布不均匀，电压高的地方就容易发生损坏，所以加一个避雷器均压环，这样电压高的地方就容易发生损坏，所以加一个避雷器均压环。
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