三极管的主要参数（in4001二极管参数）

本文目录一览：

• 1、如何选择三极管的型号选择时主要根据哪几个参数进行的
• 2、晶体三极管的主要参数有哪些？
• 3、二极管三极管的主要技术参数
• 4、三极管的参数是哪些？
• 5、13005三极管的详细参数？

如何选择三极管的型号选择时主要根据哪几个参数进行的

如何选择三极管的型号选择时主要根据哪几个参数进行的, 如何选择三极管型号

只要参数有以下几个：最大反向耐压：BCEO 也是管子的极限参数之一。

最大集电极耗散功率：PCM,最大集电极电流ICM,最大截止频率FT.

上述4个参数是管子的极限参数，在实际电路设计中，这4个参数不许突破，工作参数只能在极限参数以下。

还有一个参数是三极管电流放大系数β，也要考虑，既不能太小使放大器增益不够，也不能太大使放大器不稳定。一般取几十-几百倍。

如何选择三极管的型号

只要参数有以下几个：最大反向耐压：BVCEO 也是管子的极限参数之一。颂亩

最大集电极耗散功率：PCM,最大集电极电流ICM,最大截止频率FT.

上述4个参数是管子的极限参数，在实际电路设计中，这4个参数不许突破，工作参数只能在极限参数以下。

还有一个参数是三极管电流放大系数β，也要考虑，既不能太小使放大器增益不够，也不能太大使放大器不稳定。一般取几十-几百倍。

如何选择开关型三极管

型号类别：3dd15d 12 npn 电源开关300v 5a 50w 3dd102c 12 npn 电源开关300v 5a 50w

c3148 28 npn 电源开关900v 3a 40w c3457 bce npn 电源开关1100v 3a 50w

c3150 28 npn 电源开关900v 3a 50w c3026 12 npn 开关管1700v 5a 50w

c3987 28 npn 达林顿50v 3a 20w c4231 50c npn 音频功放800v 2a 30w

d1397 bce npn 开关1500v 3.5a 50w 3mhz dk55 bce npn 开关400v 4a 60w

d1398 bce npn 开关1500v 5a 50w 3mhz C3148 NPN 28 电源开关900V3A40Wβ=15

C3150 NPN 28 电源开关900V3A50Wβ=15三极管参数较多，其中必须了解的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM、fT、TON TOFF 等，可满足95%以上的使用需要。

1. ICM是集电极最大允许电流。三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。配灶所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。

2. BVCEO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管野卖森产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。

3. PCM是集电极最大允许耗散功率。三极管在工作时，集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大，三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作，将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。使用中一定要注意这一点。

4. 特征频率fT。随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率。

5.开通时间、关断时间是衡量开关管响应速度的一个重要参数。

如何选择功放的三极管

选择功放三极管，必须考虑三极管电压、电流及放大倍数还要考虑焊接安装位置。

淬火加热温度如何选择?选择的主要根据是什么?

以钢的相变临界点为依据，加热时要形成细小、均匀奥氏体晶粒，淬火后获得细小马氏体组织。碳素钢的淬火加热温度范围。 淬火炉加热温度范围由本图示出的淬火温度选择原则也适用于大多数合金钢，尤其低合金钢。亚共析钢加热温度为Ac3温度以上30～50℃。从图上看，高温下钢的状态处在单相奥氏体(A)区内，故称为完全淬火。如亚共析钢加热温度高于Ac1、低于Ac3温度，则高温下部分先共析铁素体未完全转变成奥氏体，即为不完全(或亚临界)淬火。过共析钢淬火温度为Ac1温度以上30～50℃，这温度范围处于奥氏体与渗碳体(A+C)双相区。因而过共析钢的正常的淬火仍属不完全淬火，淬火后得到马氏体基体上分布渗碳体的组织。这-组织状态具有高硬度和高耐磨性。对于过共析钢，若加热温度过高，先共析渗碳体溶解过多，甚至完全溶解，则奥氏体晶粒将发生长大，奥氏体碳含量也增加。淬火后，粗大马氏体组织使钢件淬火态微区内应力增加，微裂纹增多，零件的变形和开裂倾向增加；由于奥氏体碳浓度高，马氏体点下降，残留奥氏体量增加，使工件的硬度和耐磨性降低。

实际生产中，加热温度的选择要根据具体情况加以调整。如亚共析钢中碳含量为下限，当装炉量较多，欲增加零件淬硬层深度等时可选用温度上限；若工件形状复杂，变形要求严格等要采用温度下限。

三极管的hfe指标有P、Q、R三个分类，请问我在选择同型号三极管时，如何根据需要来确定选择哪一个分类？

具体情况具体分析，你现在打算用哪个型号？

hFE指晶体管的直流放大系数，P、Q、R对应的放大级别都不同，一般来说级别高，会比较好用，看你需要了。

你可以到我们网站上下载一下规格书看看。

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要想配电容和三极管，要根据哪些参数？

一般用在电源部分电解电容除了容量就是耐压值，容量小了起不到滤波的作用，耐压值小了容易击穿。

振荡电路的电容和容量是有很大关系的，这就要要据你电路的参数来选取的。

三极管一般的电路都要根据电路的参数，但一般有如下几个参数：一个是放大倍数，反向击穿电压，集电极与发射极间的反向电阻。

如何选择时态

时态一样的。用完成时态。因为学滑冰这件事已经过去了，但是这件事对现在还有影响。

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按插座型号分类：市场上使用最广泛的型号是 （86型插座，） 插座的选择：选择时先要根据需求选择（性价比高）的插座。

晶体三极管的主要参数有哪些？

①电流放大倍数P。它是衡量晶体管放大能力的一个主要参念轮数，由集电极电流变化量与基极电流变化量的比值来表示，即(3=A/yA/b,p值在20~100之间。（3太高会使晶体管性能不稳定；p太低会导致放大作用不好。

②反向饱和电流/eb0。它是当发射极开路时，集电极与基极间物高念的反向电流。这个数值要求越小越好。

③穿透电流/ce。。它是当基极开路，集电极接反向电压，发射极接正向电压时，罩困流过集电极的电流这个数值越小越好。

二极管三极管的主要技术参数

三极管主要参数有一下几项：

电流增益hfe，这是三极管雀雀的电流放大倍数，数值越大，放大能力越强；

集电极-发射极反向击穿电压Vceo，这个参数决定了三极管最高顷链早能在多少伏的电压下工作，它限制了三极管的最大输出范围；

集电极最大允许电流Icm，在任何情况下三极管的集电极电流都不应超过此值，否则会损坏；

集电结最大耗散功率Pcm，在任何情况下三极管的集电极电流和集电结电压的乘积都必须小于此值，否则会损坏；

集电结反向漏电Iceo，在基极没有电流注入情况下，集电结的漏电流，这个漏电流不受基极电流控制，影响三唤或极管的可靠截止。

三极管的参数是哪些？

三极管的参数解释

λ---光谱半宽度

VF---正向压降差

Vz---稳压范围电压增量

av---电压温度系数

a---温度系数

BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压

BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路，CE结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压

Cib---共基极输入电容

Cic---集电结势垒电容

Cieo---共发射极开路输入电容

Cies---共发射极短路输入电容

Cie---共发射极输入电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cjo---零偏压结电容

Cjv---偏压结电容

Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

CL---负载电容（外电路参数）亩野滚

Cn---中和电容（外电路参数）

Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容

Coeo---共发射极开路输出电容

Coe---共发射极输出电容

Co---零偏压电容

Co---输出电容

Cp---并联电容（外电路参数）

Cre---共发射极反馈电容

Cs---管壳电容或封装电容

CTC---电容温度系数

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

Ct---总电容

Cvn---标称电容

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

D---占空比

ESB---二次击穿能量

fmax---最高振荡频率。当三极迅余管功率增益等于1时的工作频率

fT---特征频率

f---频率

h RE---共发射极静态电压反馈系数

hFE---共发射极静态电流放大系数

hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

hIE---共发射极静态输入阻抗

hie---共发射极小信号短路输入阻抗

hOE---共发射极静态输出电导

hoe---共发射极小信号开路输出导纳

hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

IAGC---正向自动控制电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值

IB---基极直流电流或交流电流的平均值

Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与脊困发射极之间的反向截止电流

Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流

ICMP---集电极最大允许脉冲电流

ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

ICM---最大输出平均电流

Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

IDR---晶闸管断态平均重复电流

ID---暗电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流

IEM---发射极峰值电流

IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

IF（AV）---正向平均电流

IF(ov)---正向过载电流

IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IFMP---正向脉冲电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

iF---正向总瞬时电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

Iop---工作电流

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IP---峰点电流

IR（AV）---反向平均电流

IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

Irp---反向恢复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

ir---反向恢复电流

iR---反向总瞬时电流

ISB---二次击穿电流

Is---稳流二极管稳定电流

IV---谷点电流

Izk---稳压管膝点电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

n---电容变化指数；电容比

PB---承受脉冲烧毁功率

PCM---集电极最大允许耗散功率

Pc---集电极耗散功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

Pd---耗散功率

PFT（AV）---正向导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

PGM---门极峰值功率

PG---门极平均功率

Pi---输入功率

Pi---输入功率

PK---最大开关功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

Pn---噪声功率

Pomax---最大输出功率

Posc---振荡功率

Po---输出功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Ptot---总耗散功率

PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率

Q---优值（品质因素）

r δ---衰减电阻

R(th)ja----结到环境的热阻

R(th)jc---结到壳的热阻

r(th)---瞬态电阻

rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）

RB---外接基极电阻（外电路参数）

Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）

RE---射频电阻

RE---外接发射极电阻（外电路参数）

RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻

RG---信号源内阻

rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻

RL---负载电阻

RL---负载电阻（外电路参数）

roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

Rs(rs)----串联电阻

Rth---热阻

Rth----热阻

Rz(ru)---动态电阻

Ta---环境温度

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Tc---壳温

td---延迟时间

td----延迟时间

tfr---正向恢复时间

tf---下降时间

tf---下降时间

tgt---门极控制极开通时间

tg---电路换向关断时间

Tjm---最大允许结温

Tjm---最高结温

Tj---结温

toff---关断时间

toff---关断时间

ton---开通时间

ton---开通时间

trr---反向恢复时间

tr---上升时间

tr---上升时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

Tstg---贮存温度

ts---存储时间

ts---存贮时间

Ts---结温

V n---噪声电压

V v---谷点电压

V（BR）---击穿电压

VAGC---正向自动增益控制电压

VB2B1---基极间电压

VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）

VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）

VBE10---发射极与第一基极反向电压

VBE---基极发射极（直流）电压

VB---反向峰值击穿电压

VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VCB---集电极-基极（直流）电压

Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）

VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降

VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

VCE---集电极-发射极（直流）电压

Vc---整流输入电压

VDRM---断态重复峰值电压

VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VEB---饱和压降

VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）

VF（AV）---正向平均电压

VFM---最大正向压降（正向峰值电压）

VF---正向压降（正向直流电压）

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VGT---门极触发电压

Vk---膝点电压（稳流二极管）

VL ---极限电压

Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值

Vn---中心电压

VOM---最大输出平均电压

Vop---工作电压

Vo---交流输入电压

Vp---穿通电压。

Vp---峰点电压

VRM---反向峰值电压（最高测试电压）

VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM---反向工作峰值电压

VR---反向工作电压（反向直流电压）

VSB---二次击穿电压

Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

Vth---阀电压（门限电压）

Vz---稳定电压

δvz---稳压管电压漂移

η---单结晶体管分压比或效率

λp---发光峰值波长

13005三极管的详细参数？

MJE13005详细参数有：

集电极-基极最高反向耐压VCBO：型兄700V

集电极-发射极最高反向耐压VCEO：400V

发射极-基极最高反向耐压VEBO：9V

集电极最大允许电流ICM：5A

集电极最大耗散功率PCM：75W

最高工作结温TJM：150℃

贮存温度TSTG：-65~150℃

集电极-基极截止电流ICBO：100μA (VCB=700V)

扩展资料：

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器悉租宽件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也睁亮用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

参考资料：百度百科-三极管

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