mos管导（MOS管导通压降）

发布时间：2023-05-13

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本文目录一览：

1、mos管的作用
2、mos管工作原理是什么？
3、mos管导通过程

mos管的作用

mos管的握歼盯作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关。

MOS管为压控元件，只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小，常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。

MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。

MOS管的特性

开关特性。MOS管是压控器件，作为开关时，NMOS只要满足VgsVgs(th)即可导通，PMOS只要满足Vgs。

开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，导通电阻都很小。段和开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，MOS处于恒流改汪区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。

由压控所导致的的开关特性。由于制作工艺的限制，NMOS的使用场景要远比PMOS广泛，因此在将更适合于高端驱动的PMOS替换成NMOS时便出现了问题。

在宽电压的应用场景中，栅极的控制电压很多时候是不确定的，为了保证MOS管的安全工作，很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。

mos管导（MOS管导通压降）

mos管工作原理是什么？

mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

以N型MOS管四端器件为例：NMOS管四端分别是D、G、S、B，即漏(Drain)、栅(Gate)、源(Source)以及体(Body)端。MOS管是电压控制电流器件（区别于Bipolar的电流控制电流器件或岩槐特性）。当栅源电压差为0时，漏源之间不会形衫友成电流前段（工作在截止区）。

结构特点：

MOS管的内部结构如下图所示;其导通枣腔时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

mos管导通过程

导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、备皮t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。

1. t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th），导电沟道没有

形成，MOSFET仍处于关闭状态。

2. [t1-t2]区间, GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，

MOSFET开启，DS电流增加到ID, C gs2 迅速充电，Vgs由Vgs（th）指

数增长到Va

3. [t2-t3]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，C gd

电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了

栅极电压对C gs 的充电,从而使得V gs 近乎水平状态，C gd 电容上电压增

加,而DS电容上的电压继续减小;

4. [t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压

,Millier效应影响变小，腔举C gd 电容变小并和C gs 电容一起由外部驱动电

压充电, C gs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳仿圆差态

,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。

关键词：电容器电容导通电阻电阻可变电阻电解电容 mos管耦合电容

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