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MOS管伏安特性（mos管伏安特性曲线和公式）

发布时间：2023-06-04
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本文目录一览：

求解:增强型NMOS管的三个工作区的电流电压方程???

1、增强型：UGS=0时，管内无沟道建立，加上UDS后，也无漏极电流ID。N沟道：D和S极为N型半导体，衬底为P型半导体。工作原理：（1）UGS=0 管内无沟道建立，DS之间等价于2个背对背的二极管串联。

2、截止区 在截止区内，基极电流Ib=0，集电极电流Ic≤Icbo，几乎等于0，仅有极微小的反向穿透电流Iceo流过，硅三极管的Iceo通常都在1μA以下。事实上，应该把Ie=0，即Ic≤Icbo的区域叫做截止区。

3、NMOS晶体管的工作原理：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。

4、①没有电压存在，因增强型场效应管使用栅极与寸底间电容的电场形成导电够到。当G悬空时，D端电压不会传输到G端，形成VGS。

5、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

6、在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。

如何区分二极管的伏安特性

1、二极管实质上是一个PN结，它的基本特性是单向导电性，因此二极管的伏安特性分为正向连接和反向连接两种情况。二极管正向连接时如外加电压很低，电路中基本上没有电流通过，二极管的这种状态称为截止。

2、电阻的伏安特性是一条斜直线，而二极管的伏安特性是一条近似反S形的曲线。

3、二极管的伏安特性存在4个区：死区电压、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。

4、二极管的伏安特性是正向特性。二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。

5、●而二极管的伏安特性是一个非线性伏安曲线，加在它两端的电压较小时，它的电流增长比较缓慢，而当该电压增大时，电流则越来越快地增长，甚至很快将二极管烧穿。

6、二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

mos寄生二极管是肖特基吗

1、当MOS有很大的反向瞬间电流时，该二极管导通，起到保护作用。肖特基二极管 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。

2、二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。

3、mos管是需要控制信号的。不能简单的串在电路中。而且MOS导通后是双向导电的，防止反充电还是用二极管吧，肖特基也就0.3V左右的压降。

4、肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管(简称 SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。

晶体管伏安特性曲线

1、用电阻RX1OOO档测，指针表测得导通时黑笔接的是正极， 红笔是负极. 数字表时与之相反.伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。

2、晶体管输出特性曲线可以有无数条。曲线的间隔大小与条数可以在晶体管特性仪上设置的，一般最多可以显示不小于10条，注意是“显示”，并不是说“只有”这10条。

3、楼上错了，二极管的伏安特性曲线是斜率逐渐变大的曲线，三极管的输出特性曲线主要部分（放大区）是一组接近平行的略微倾斜的直线。

伏安特性是什么?

1、伏安特性，是指一种元件两端所加的电压与通过它的电流之间的关系。例：对于一个电阻来说，它两端的电压U与通过它的电流 I 是成正比的，那么就是电阻的伏安特性曲线是一条直线。

2、加在电气设备或者元件两端电压和通过电流的关系叫伏安特性。例：对于一个电阻来说，它两端的电压U与通过它的电流I是成正比的，那么就是电阻的伏安特性曲线是一条直线。

3、浅一点的说就是电压与电流之间的关系，是一种线性关系，就是R=u/i公式推出来的 初中就是说小灯泡而已，没什么难度，你开学就会明白。

功率MOS场效应晶体管的基本特性

场效应管的抗辐射能力强；由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。

功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下： 驱动方式：场效应管是电压驱动，电路设计比较简单，驱动功率小；功率晶体管是电流驱动，设计较复杂，驱动条件选择困难，驱动条件会影响开关速度。

静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。

(2)MOSFET的漏极伏安特性（即输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）饱和区（对应于GTR的放大区）非饱和区（对应GTR的饱和区）工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。

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