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三极管各极间的结电容是影响开关速度的主要原因。若使管子处于深度饱和状态,其各极间的结电容将被充满电,这样充放电时间就长,从而使开关时间延长。国产的3DK4这类开关管,结电容很小,故开关速度很快。
主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响,一般需要大于正负1A的驱动能力,栅极电阻不大于10欧,反向接二极管提高关断速度。
对IGBT本身消耗功率影响比较大的是开关时间,门极的电容造成的影响。门极电容导致开通时间和关断时间较长,所以处于放大区的时间较长,导致耗散功率较大。
加快开关速度,MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。
露中晶体三极管选定后,通常利用晶体三极管选用以后利用。利用那个电子的那个电容来提高开关速度啊。
电磁继电器可以用一个rc并联后再与继电器串联,r与继电器线圈内阻在稳态下并联分压,这样可以提高供电电源,在闭合的一瞬间由C短路,更高的电压可以是线圈产生更大的磁力,提高开关速度。
原因很多。开关管驱动不合理。驱动电压不足和占空比不合理。变压器设计不合理。电流过大磁芯饱、工作频率和开关频率不匹配。输出整流二极管选型错误。只能选用低压降的告诉块恢复二极管。
你说的应该是反激式开关电源,轻负载时,pwm脉冲较窄,输出浪涌电流较小,平均电压变低。重负载时,pwm脉冲变宽,浪涌电流较大,加上反馈网络的滞后特性,至使输出平均电压变高。
有两种原因,一是带载启动,负载冲击过大,电子负载CC模式很可能会有过冲,引起保护。二是电源在满载时环路裕量不够,带载启动过冲直接导致环路不稳定。
1、而MOSFET的特点是,功率容量小,开关速度快。而IGBT的特点是介于二者之间的。就是说IGBT的特点是功率容量较大,开关速度较快,能力比较综合。
2、MOSFET 开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题 电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
3、IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz(1000KHz),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。
4、MOSFET是由电压控制器件,开关速度比三极管快,内阻比三极管低。所以适合做开关管,开关损耗低。IGBT 结构上是电压控制的三极管。开关速度比MOSFET慢些,特别是off time. 但是,它容易做到高电压,大电流。
5、单管GTR饱和压降VCES低,开关速度稍快,但是电流增益β小,电流容量小,驱动功率大,用于较小容量的逆变电路。MOSFET优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。
6、IGBT的开关速度低于MOSFET,但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间,但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3~4V,和MOSFET相当。
1、如果是一直上升,原因是脉冲中的振铃中的高压成分在滤波电容上积累而不能释放,此时在输出端并联一个吸收电阻,吸收1-5W的功率即可。
2、软启动的时候,让每个周期内通电时间从0逐渐增加,断电时间逐渐减少,直到完全通电,电机转速就可以平缓上升。
3、如果至少缓慢上升,到了某个时刻变为稳定就勉强正常,不过一般都是因为温度升高,铜阻下降,功耗变低就更正常了 如果持续升高,且速度保持一致,那么最大的可能是变压器磁芯饱和或者趋近于饱和,这样子是很容易烧机的。
4、比如,电源空载的时候额定电压可以开到12v,但加负载后就只能到11V了,这是厂家在偷工减料。正确的应该是不管空载开到多少伏,满载后电流和电压都要可以达到额定值。
5、共模高压瓷片滤波电容CC3通过中点接地,消除静电干扰。整流滤波电路 整流滤波电路由整流二极管D21~D2高压滤波电容CC6组成。
高压断路器运行状态的影响在开断电流周期分量相等情况下,非周期分量的存在虽然有可能提高触头分离瞬间的短路电流瞬时值,但它在某种程度上却有利于电路的开断。
系统负载过重:如果系统负载过重,也就是系统要处理的任务比较多,那么处理器的负荷就会很高,同时也会产生大量的热量。为了保证系统的稳定性,处理器会自动调整电压和电流,以达到最佳性能。
升压电路输出端的电压和电流与供电电源有密切的关系,如果电源提供的电压和电流足够大,才有可能做出输出端电压和电流都比较大的升压器。在供电电源已经固定的情况下,升压电路的电压越高,电流就越小。
露中晶体三极管选定后,通常利用晶体三极管选用以后利用。利用那个电子的那个电容来提高开关速度啊。
一般都是关速度不够快,开速度一般只要有足够的驱动电流就行;而关速度由于饱和后有存储载流子,很难做快,特别是大功率管。
如何提高晶体管的开关速度?——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。(1)晶体管的开关时间:晶体管的开关波形如图1所示。
关键词:磁继电器 继电器 结电容 整流二极管 栅极电阻 电阻 三极管各极 电容 器件开关速度 晶体三极管 电容的 器件的开关 二极管选型 恢复二极管 三极管开关
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