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高压器件开关速度更慢（高压开关速断原因）

发布时间：2023-06-04
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为什么要提高器件的开关速度

三极管各极间的结电容是影响开关速度的主要原因。若使管子处于深度饱和状态，其各极间的结电容将被充满电，这样充放电时间就长，从而使开关时间延长。国产的3DK4这类开关管，结电容很小，故开关速度很快。

主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。

对IGBT本身消耗功率影响比较大的是开关时间，门极的电容造成的影响。门极电容导致开通时间和关断时间较长，所以处于放大区的时间较长，导致耗散功率较大。

加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。

露中晶体三极管选定后，通常利用晶体三极管选用以后利用。利用那个电子的那个电容来提高开关速度啊。

电磁继电器可以用一个rc并联后再与继电器串联，r与继电器线圈内阻在稳态下并联分压，这样可以提高供电电源，在闭合的一瞬间由C短路，更高的电压可以是线圈产生更大的磁力，提高开关速度。

开关电源在高压输入轻载时为什么效率低

原因很多。开关管驱动不合理。驱动电压不足和占空比不合理。变压器设计不合理。电流过大磁芯饱、工作频率和开关频率不匹配。输出整流二极管选型错误。只能选用低压降的告诉块恢复二极管。

你说的应该是反激式开关电源，轻负载时，pwm脉冲较窄，输出浪涌电流较小，平均电压变低。重负载时，pwm脉冲变宽，浪涌电流较大，加上反馈网络的滞后特性，至使输出平均电压变高。

有两种原因，一是带载启动，负载冲击过大，电子负载CC模式很可能会有过冲，引起保护。二是电源在满载时环路裕量不够，带载启动过冲直接导致环路不稳定。

IGBT与MOSFET的开关速度哪个更快?

1、而MOSFET的特点是，功率容量小，开关速度快。而IGBT的特点是介于二者之间的。就是说IGBT的特点是功率容量较大，开关速度较快，能力比较综合。

2、MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

3、IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。

4、MOSFET是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。IGBT 结构上是电压控制的三极管。开关速度比MOSFET慢些，特别是off time. 但是，它容易做到高电压，大电流。

5、单管GTR饱和压降VCES低，开关速度稍快，但是电流增益β小，电流容量小，驱动功率大，用于较小容量的逆变电路。MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。

6、IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。

开关电源加载电流缓慢上升如何解决

1、如果是一直上升，原因是脉冲中的振铃中的高压成分在滤波电容上积累而不能释放，此时在输出端并联一个吸收电阻，吸收1-5W的功率即可。

2、软启动的时候，让每个周期内通电时间从0逐渐增加，断电时间逐渐减少，直到完全通电，电机转速就可以平缓上升。

3、如果至少缓慢上升，到了某个时刻变为稳定就勉强正常，不过一般都是因为温度升高，铜阻下降，功耗变低就更正常了 如果持续升高，且速度保持一致，那么最大的可能是变压器磁芯饱和或者趋近于饱和，这样子是很容易烧机的。

4、比如，电源空载的时候额定电压可以开到12v，但加负载后就只能到11V了，这是厂家在偷工减料。正确的应该是不管空载开到多少伏，满载后电流和电压都要可以达到额定值。

5、共模高压瓷片滤波电容CC3通过中点接地，消除静电干扰。整流滤波电路 整流滤波电路由整流二极管D21~D2高压滤波电容CC6组成。

为什么高压开关电器的关合速度极低的时候,电流中将无周期分量

高压断路器运行状态的影响在开断电流周期分量相等情况下，非周期分量的存在虽然有可能提高触头分离瞬间的短路电流瞬时值，但它在某种程度上却有利于电路的开断。

系统负载过重：如果系统负载过重，也就是系统要处理的任务比较多，那么处理器的负荷就会很高，同时也会产生大量的热量。为了保证系统的稳定性，处理器会自动调整电压和电流，以达到最佳性能。

升压电路输出端的电压和电流与供电电源有密切的关系，如果电源提供的电压和电流足够大，才有可能做出输出端电压和电流都比较大的升压器。在供电电源已经固定的情况下，升压电路的电压越高，电流就越小。

提高三极管开关速度的方法?

露中晶体三极管选定后，通常利用晶体三极管选用以后利用。利用那个电子的那个电容来提高开关速度啊。

一般都是关速度不够快，开速度一般只要有足够的驱动电流就行；而关速度由于饱和后有存储载流子，很难做快，特别是大功率管。

如何提高晶体管的开关速度？——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。(1)晶体管的开关时间：晶体管的开关波形如图1所示。

关键词：整流二极管 电容的 三极管开关 继电器 电阻 二极管选型 电容 结电容 器件的开关 器件开关速度 磁继电器 恢复二极管 三极管各极 晶体三极管 栅极电阻

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