并联mos管（并联mos管散热）

发布时间：2023-06-04

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1、MOS管（金属氧化物半导体场效应管）的串联和并联，与普通的电阻、电容、电感等被串联或并联的元件有些不同，因为MOS管具有一定的开闭电压和电流限制，因此它们在串联和并联时需要考虑到这些特性。

2、mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。

3、两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流，一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。

4、理论上，只要解决好电流分配问题，MOS管的并联没有上限。但实际上，由于栅极电容的影响，在多个并联时，要加栅极驱动电路。

5、推挽电路就是两不同极性晶体管连接的输出电路。

并联mos管（并联mos管散热）

两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流，一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。

MOS管栅极并联的电阻是为了释放栅极电荷，不让电荷积累。总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用。

这是用来起阻尼作用的！对MOS起保护作用！同时还有均压的作用，可以保证串联的管子的工作电压。

主要是扩流和自动均流的作用。在需要大电流的场合，有时候一个管子不够用，而买更大容量的单管，一方面成本吃不消，另一方面也很难买，所以就考虑MOS管并联的方法，此时总电流就等于各并联支路的电流之和。

你的“背靠背连接”是指什么意思？如果是两个管子并联，就是加大电流，用两只管子代替一只管子，提高驱动能力。如果是复合管连接，就是增大管子的跨导，即增大放大能力。

MOS管G极接电阻是防止振荡，晶体管接电阻是限流。

频率100K以上，必须使用专门的驱动电路（比如，图腾柱方式）或者MOS管专用驱动IC，不然的话MOS管容易烧毁。下拉电阻是防止G极残余电压误导通，不可太大或太小，10K到47K都可以。

G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

你好！这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。再具体的，你可以查下MOS管驱动电路的资料如有疑问，请追问。

gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。

mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。

1、不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。

2、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

3、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。