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1、反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。
2、采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
3、参数几乎一模一样，PC123反向耐压Vceo=70V，PC817反向耐压Vceo=35V略低，频率同为80KHz，所以可以试着替换，但有风险。
4、—— 企业RFID系统有基本的工作流程，由工作流程可以看出RFID系统利用无线射频方式在读写器和电子标签之间进行非接触双向数据传输，以达到目标识别、数据传输和控制的目的。
5、。p291光耦参数是100。TLP290和TLP291是采用了SO4封装的单通道输出晶体管耦合器，具有高绝缘电压(3750Vrms)及能确保在高温(Ta=110°C最大值)。
6、不可以，虽然两个是常用的光耦，但是他们的参数有一个最主要的不同就是耐压，能不能代换要看具体应用。
1、光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系，当IF=0时，发光二极管不发光，此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流，一般很小。
2、PC817光电耦合器广泛用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
3、集—射电压80V（最小）指的是 Vceo = 80V，就是发光管端不加任何电压时，输出端c、e间至少可承受80V电压而不会产生漏电现象。
4、输出特性光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性，与普通的三极管类似。常见的参数有：集电极电流Ic(CollectorCurrent)光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。
5、光耦是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。
1、光耦本来就是一个小的继电器，可以使用，但是负载1~2A就不好说，要看封装形式吧 一般的光耦比如MOS308TLP3063SD21等的额定最大电流为1A，而且抗冲击电流时间很短 你还是选用故态继电器比较可靠。
2、现场变送器输出模拟量信号（假设电压信号），电压频率转换器将变送器送来的电压信号转换成脉冲序列，通过光耦隔离后送出。在主机侧，通过一个频率电压转换电路将脉冲序列还原成模拟信号。
3、应用范围不同。光耦在数字电路上应用广泛，以传输弱信号为主。继电器在自动控制电路中应用广泛，它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。
4、不可以的，光电耦合器 是小功率器件，无法承载大的电流和高电压。
5、光耦继电器是用光耦来控制开光状态的固态继电器，光耦继电器可以理解为光耦和可控硅的组合体。型号有MOC302X、MOC305X、MOC306X、MOC308X等进行代换。（南方先进电子）先进光半导体专业做进口替代料，优势替代。
这个很明了，你的这个光耦肯定也有较小的漏电流，这个小的漏电流就足以驱动MOSFET让他开通。这个时候你只要将MOSFET的门极用一个100K的电阻接地，泄放掉这些电荷，就可以防止误导通。
只要电压大于开启电压，就能导通，显然12v应该大于它的导通电压了。可以在R3后用一个电阻接地（分压），使光耦未导通时g栅极电压Ugs小于IRFZ24N的开启电压。。这个接地电阻即所谓的“下拉电阻”，下拉到地，确保截止。
串联电阻不需要计算，取一个大点的数值就可以，因为场效应管输入阻抗很高。也许3V电压太低，不能使场效应管开启。解决方案：(1)在P0到电源之间接一个5K的上拉电阻，看看行不行。
关键词：可控硅 光敏三极管 达林顿型光耦 常用的光耦 光耦 291光耦 开关光耦 p291光耦 继电器 发光二极管 三极管的特性
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