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1、这个可以大概估算出来，先从靠近MOSFET的电阻开始选择。看你MOSFET的参数，电压，输入电容，一般R5大概在10R-220R之间吧。很显然，R4+R5等于栅极驱动电阻，R4大约取100R-470R之间，R4太小了电流太大，三极管Q2过热。
2、对于场效应管来说，栅极输入端所加的电阻可以高一些，几百千欧或者几兆欧都可以。
3、是用N沟道还是P沟道 。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。
4、很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。
5、下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。
1、单片机任意一个i/o口通过一个三极管控制sg3525的10脚。i/o口和三极管基极间串个几k的电阻，发射极接地，集电极接sg3525的10脚同时接个10k电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。
2、加个470K左右试试，具体原因我也不是很清楚。我用irlml6402时，通过测试选用了470K的电阻。如果楼主知道了原因麻烦也告诉小弟一下，先谢谢了。--- 把原理图贴上来看一看。
3、欧姆和50k。根据查询相关过来信息显示，1000欧姆电阻和50k电器可用于mos管栅极。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率。
应该串510Ω/1W左右的电阻较好。阻容降压还有一定的恒流作用及在个别LED坏时把其击穿，使其它LED继续发光，除了不能隔离外比变压器降压要好；另在电容上并联1M左右的电阻。并且不要接滤波电容和稳压管。
但是如果是多路并联驱动，还是需要串电阻的，用来补偿LED节点电压不同引起的各路电流不一致，假设有这样的情况，驱动电源恒流，驱动两颗LED并联，LED总电流恒定，但是（在相同电流下）LED压降一个2V，一个3V。
如果是做指示灯用，串联一支一百五十千欧（150k）左右的电阻就可以了。如果照明用，单用一个电阻限流用于照明频闪厉害，需要全波整流加电阻限流才行。根据灯珠功率不同，电阻亦不同。电流二十毫安的灯珠，电阻可选择十三k。
看你MOSFET的参数，电压，输入电容，一般R5大概在10R-220R之间吧。很显然，R4+R5等于栅极驱动电阻，R4大约取100R-470R之间，R4太小了电流太大，三极管Q2过热。
1、mos栅极与源极之间的泄放电阻一般是5K到10K，那么并联的mos栅极与源极的泄放电阻是每个都用5k-10k还是加起来5k-10k。
2、缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择，一般在7欧到100欧之间。一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。
3、用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。
4、加个470K左右试试，具体原因我也不是很清楚。我用irlml6402时，通过测试选用了470K的电阻。如果楼主知道了原因麻烦也告诉小弟一下，先谢谢了。--- 把原理图贴上来看一看。
用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。
mos管驱动电阻烧了，说明这个管子已经击穿损坏了（管子正常的话这个驱动电阻是不可能烧的，mos管是电压驱动型器件），再通电的话就可能会炸。
这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。
MOS管驱动电阻给为MOS提供合适的驱动电流，可以调节MOS开关速度。
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